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氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置制造方法及图纸
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下载氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置的技术资料
文档序号:3224297
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一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置,包括一基板、一多层磊晶结构、一光取出层、一n型金属电极及一p型金属电极等构成,该多层磊晶结构又包括缓冲层、第一半导体层、光产生层、及第二半导体层等;其特征在于: 该基板,系可为蓝宝石(...
该专利属于炬鑫科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过炬鑫科技股份有限公司授权不得商用。
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