半导体元件的制造设备及制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体元件的制造设备及制造方法，以高生产率地制作金属与半导体界面的电阻小、特性优异、可靠性高的大面积的半导体元件。打开闸阀２ａ将备有ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的样品送入样品准备室３，排气至１０↑［－２］１０↑［－３］Ｐａ的压力，从样品室３经中间室１将样品传送到离子照射室４，进行磷等的离子照射。离子照射后，打开闸阀２ｃ，传送到压力１０↑［－３］～１０↑［－７］Ｐａ的中间室１，然后打开闸阀２ｄ，传送到淀积室５，将Ａｒ气体导入淀积室５，通过溅射法，进行Ａｌ／Ｔｉ的金属膜的淀积，经中间室１将样品移出取出室６。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于半导体工业的半导体元件制造和表面处理等制造设备及制造方法，特别涉及用于有源矩阵式液晶显示器等的薄膜晶体管和太阳电池等大面积半导体元件的制造中的高可靠性地进行杂质注入及元件制造的制造方法及设备。在常规的大面积半导体元件制造中，作为向半导体薄膜注入杂质作用的技术例如有(1)放电分解含诸如以氢稀释的磷烷(PH3)的控制价电子用的杂质的气体；(2)将所生成的离子不作质量分离，作为大孔径的离子束，注入到半导体薄膜，形成掺杂层；(3)然后取出置于大气中，在另一真空设备中形成金属膜；(4)对金属膜刻图、经洗净、加热处理等完成半导体元件等方法。在上述的常规方法中，作为掺杂方去大面积处理是容易的。然而，为了在掺杂的同时注入氢离子，由于在掺杂层表面附近存在高浓度的氢，掺杂层表面附近变为极不稳定的活化态，如图4(a)所示容易与大气中的水分、氧气结合而形成氧化膜，存在半导体元件的特性、可靠性低的问题。为了解决前述的已有问题，本专利技术之目的在于，同时注入氢离子及含成为半导体掺杂剂的元素的离子，不使所形成的掺杂层表面附近的极不稳定并活化的区域暴露于大气中，通过进行电极的形成、加热处理在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件的制造设备，其特征在于该设备具有：在减压气氛中对半导体薄膜或基片同时照射氢离子及含将成为前述半导体的掺杂剂的元素的离子的离子照射装置，及从在前述半导体薄膜或基片上，连续进行离子照射，不暴露于大气地形成薄膜的薄膜形成装置 及进行加热处理的加热处理装置中选出的至少一种装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1994-6-10 128941/941.一种半导体元件的制造设备，其特征在于该设备具有在减压气氛中对半导体薄膜或基片同时照射氢离子及含将成为前述半导体的掺杂剂的元素的离子的离子照射装置，及从在前述半导体薄膜或基片上，连续进行离子照射，不暴露于大气地形成薄膜的薄膜形成装置及进行加热处理的加热处理装置中选出的至少一种装置。2.一种半导体元件的制造方法，由以下工艺步骤构成(1)在减压气氛中对半导体薄膜或基片同时进行照射氢离子及含将变成前述半导体的掺杂剂元素的离子的工艺步骤，及(2)从连续进行前述离子照射工艺，不开放大气地在前述半导体薄膜或基片上形成薄膜的工艺步骤，或进行加热处理的工艺步骤中选出的至少一种工艺步骤。3.权利要求1或2所述的半导体元件的制造设备及制造方法，其中的离子照射装置、薄膜形成装置或加热处理装置是通过阀门相连的。4.权利要求1或2所记述的半导体元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：平尾孝，吉田哲久，北川雅俊，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]