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本发明提供一种半导体元件的制造设备及制造方法，以高生产率地制作金属与半导体界面的电阻小、特性优异、可靠性高的大面积的半导体元件。打开闸阀２ａ将备有ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的样品送入样品准备室３，排气至１０↑［－２］１０↑［－３］Ｐａ的压力，从样品室...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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