半导体衬底及其制造方法技术

生产平整、质量好ＳＯＩ衬底的方法，同时包括多孔形成步骤，在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层；及大孔隙率层形成步骤，在多孔硅层中形成大孔隙率层。把离子注入多孔硅层并伸入到给定区域，或者在多孔形成步骤中改变阳极氧化的电流密度，进行大孔隙率层形成步骤。在多孔硅层上面外延生长非多孔单晶硅层。把多孔硅层表面和支撑衬底连接在一起，在具有大孔隙率的多孔硅层处进行分离。接着进行选择刻蚀，以便除掉多孔硅层。通过重复利用衬底能节省资源和降低成本。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。特别是，本专利技术涉及介质隔离或者在绝缘体上制造单晶半导体的方法，以及在硅衬底上制造单晶化合物半导体的方法，还涉及适用于在单晶半导体层上形成电子器件或集成电路的半导衬底的制造方法。众所周知，在绝缘片上形成单晶硅半导体层称为在绝缘体上生长硅(SOI)技术，而且已经进行了深入的研究，因为利用SOI技术制造的器件有很多优点，这不是利用体硅衬底形成一般的集成电路所能获得的。例如，具体地说，利用SOI技术可能有下列优点1 容易进行介质隔离和可能获得高集成度；2 抗辐射非常好；3 减少浮动电容，可能获得高速度；4 省略制阱工艺；5 可能防止闩锁现象；6 通过减少膜厚度，可能制成全耗尽(FD)型场效应晶体管。例如，在特刊文献中“Single-crystal silicon on-single-crystal insulators”；edited by G.W.cullen，Journal of Crystal Growth，Volume 63. no3，pp 429-590(1983)详细地报道了上述优点。此外，在过去几年里，报道了大量利用SOI作为衬底的情况，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体衬底的方法，包括下列步骤： 多孔形成步骤，用于在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层；以及 大孔隙率层形成步骤，用于在所述多孔硅层内，距所述多孔硅表面有恒定深度的位置形成大孔隙率的层。

【技术特征摘要】
JP 1995-10-6 260100/95;JP 1996-10-4 264386/961 一种制造半导体衬底的方法，包括下列步骤多孔形成步骤，用于在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层；以及大孔隙率层形成步骤，用于在所述多孔硅层内，距所述多孔硅表面有恒定深度的位置形成大孔隙率的层。2 按照权利要求1的制造半导体衬底的方法，其特征在于所述的大孔隙率层的形成步骤包含离子注入步骤，把离子注入到所述的多孔硅层内，并伸入到给定区域。3 按照权利要求2的制造半导体衬底的方法，还包括非多孔层形成步骤，在所述离子注入步骤之前，在所述多孔层表面形成非多孔层。4 按照权利要求2的制造半导体衬底的方法，其特征在于所述离子包括惰性气体、氢、氮中的至少一种离子。5 按照权利要求3的制造半导体衬底方法，还包括连接步骤，用于连接所述的非多孔层和支撑衬底；及分离步骤，用于在所述大孔隙率层处把所述硅衬底分成两部分。6 按照权利要求5的制造半导体衬底的方法，其特征在于通过热处理所述硅衬底进行所述分离步骤。7 按照权利要求5的制造半导体衬底的方法，其特征在于通过在与衬底表面垂直的方向给所述硅衬底加压，进行所述分离步骤。8 按照权利要求5的制造半导体衬底的方法，其特征在于通过在与衬底表面垂直的方向冲压所述硅衬底，进行所述分离步骤。9 按照权利要求5的制造半导体衬底的方法，其特征在于通过向所述硅衬底加剪切力来进行所述分离步骤。10 按照权利要求3的制造半导体衬底的方法，其特征在于所述非多孔硅层由单晶硅层制成。11 按照权利要求3的制造半导体衬底的方法，其特征在于所述非多孔层由单晶硅制成，在该单晶硅被连接的表面上有硅氧化物层。12 按照权利要求3的制造半导体衬底的方法，其特征在于所述非多孔层由单晶化合物半导体制成。13 按照权利要求5的制造半导体衬底的方法，其特征在于所述支撑衬底是硅衬底。14 按照权利要求5的制造半导体衬底的方法，其特征在于所述支撑衬底是在其被连接表面上有硅氧化物层的硅衬底。15 按照权利要求5的制造半导体衬底的方法，其特征在于所述支撑衬底是透光...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤信彦，米原隆夫，坂口清文，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]