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文档序号:3222169

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生产平整、质量好SOI衬底的方法,同时包括多孔形成步骤,在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层;及大孔隙率层形成步骤,在多孔硅层中形成大孔隙率层。把离子注入多孔硅层并伸入到给定区域,或者在多孔形成步骤中改变阳极氧化的电流密度,进行大孔隙率层形...
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