金属氧化物场效应管与双极静电感应晶体管复合结构器件制造技术

本发明专利技术涉及一种功率半导体器件，该器件主要解决现有器件打开或关断时需提供很大栅极驱动电流的问题。采用在双极静电感应晶体管的结构上，引进功率场效应晶体管的复合结构，整个器件包括一个ｎ↑［＋］衬底和ｎ↑［－］外延层，两个铝接点７与１１，外延层上设有置有ｐ↑［＋］区和由ｐ↑［－］、ｎ↑［＋］结、多晶硅栅极９、栅氧化层６构成的栅极区。该器件具有功耗小，导通电流大之优点，是一种理想实用的功率半导体器件。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于微电子
，特别是一种功率半导体器件。已有的功率半导体器件主要包括有功率双极晶体管、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和功率结型场效应晶体管(JFET)。但这些器件均存在着各自的缺陷。在结型场效应晶体管中有一类短沟道的器件，即双极静电感应晶体管(BSIT)，其结构剖面图如图4所示。它是一个常关器件，器件的沟道中栅极到沟道的自建电场形成沟道势垒使器件完全断开。如果一个正向电压加于栅极上时就降低了这一势垒，使得沟道中有漏电流通过。它的基本电流特性类似于双极晶体管的电流特性。虽说该器件比起双极晶体管有较低的导通电阻，较高的电流增益，较高的跨导和较高的导通电流密度，但却又存在着必需要有一个低阻抗的栅极激励电路，为器件正向导通或关断时提供一个很大的栅极驱动电流的不足。本专利技术的目的是克服场效应晶体管导通电流密度低和双极静电感应晶体管必需要栅极激励电路的缺点，提供一种既具有场效应晶体管驱动电路简单，又具有双极静电感应晶体管大的导通电流密度的集成功率半导体器件MBSIT(MOS-Bipolar Static InductionTransistor)。实现本专利技术目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属氧化物Ｍ管与双极静电感应晶体管Ｑ的复合器件，包括一个ｎ↑［＋］衬底，一个ｎ↑［－］外延层，铝接点（１１），外延层ｎ↑［－］上分别设置ｐ↑［－］，ｎ↑［＋］结，铝接点（１１）上引出阴极Ｋ，其特征在于：①外延层ｎ↑［－］上增设有多晶 硅栅极（９），栅氧化层（６）及由铝接点（７），ｐ↑［＋］区，ｐ↑［－］（４），ｎ↑［＋］（５）构成的栅极区，铝接点（７）连接ｎ↑［＋］与ｐ↑［＋］区，栅极区构成Ｍ管；②外延层ｎ↑［－］与栅极区的ｐ↑［－］、ｎ↑［＋］分别构成Ｍ管的漏极、 衬底和源极，外延层ｎ↑［－］与阴极Ｋ处的ｐ↑［－］、ｎ↑［＋］分别构成双极静电感应晶体管Ｑ的漏极、栅极和源极；③...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种金属氧化物M管与双极静电感应晶体管Q的复合器件，包括一个n+衬底，一个n-外延层，铝接点(11)，外延层n-上分别设置p-，n+结，铝接点(11)上引出阴极K，其特征在于①外延层n-上增设有多晶硅栅极(9)，栅氧化层(6)及由铝接点(7)，p+区，p-(4)，n+(5)构成的栅极区，铝接点(7)连接n+与p+区，栅极区构成M管；②外延层n-与栅极区的p-、n+分...

【专利技术属性】
技术研发人员：弓小武，刘玉书，樊昌信，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]