【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术属于半导体器件，特别是一种功率半导体器件。功率半导体器件主要应用于导通电流很大和耐压很高的领域。现有的功率半导体器件，主要包括有功率双极晶体管和功率场效应晶体管。功率双极晶体管自1950年问世以来，以其导通电流密度大和制作工艺简单之优点，至今仍保持着非常广泛的应用。但在工作特性上存在有如下缺点(1)由于双极晶体管是一个电流控制器件，因而需要很大的基极电流维持其工作状态，和很大的反向基极驱动电流以获取高速关断；(2)在大电流和高耐压瞬时工作时，具有二次击穿现象；(3)导通电流随温度的升高而增大，不易并联使用，工作速度低。功率场效应晶体管的出现改善了双极功率晶体管的某些性能缺点。例如，输入阻抗高，漏极电流具有负的电流温度系数，多只器件可以并联使用，避免了二次击穿现象，安全工作区宽；同时由于功率场效应晶体管是多子器件，如图4所示。排除了因少子复合而带来的开关损耗，故具有较高的开关速度，消除了对寿命控制的严格要求。但是该器件由于存在一个厚的轻掺杂的n-漂移区支持高耐压，所以导通电阻大，导通电流密度小，如果要提高导通电流密度就要降低漂移区长度，提高漂移区掺杂...
【技术保护点】
一种金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件，包括一个ｎ↑［＋］衬底，一个ｎ↑［－］外延层，两个铝接点（６）与（９），两个栅极区（１）与（２），在外延层ｎ↑［－］上设置一个ｐ↑［＋］结和一个ｐ↑［－］结，两个铝接点（６）与（９）之间设置有绝缘层（７），两栅极区（１）与（２）各由多晶硅栅极Ｇ、栅氧化层４、ｐ↑［－］区、ｎ↑［＋］区构成，其特征在于：①铝接点（６）连接ｎ↑［＋］与ｐ↑［＋］区，铝接点（９）连接ｐ↑［－］与ｎ↑［＋］区，以在两个ｎ↑［＋］区形成一个较大的电 阻Ｒ，并从铝接点（９）上引出阴极Ｋ，ｐ↑［＋］结的位置设在远离阴极Ｋ处，使阴极处的ｎ↑［＋］外围...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件，包括一个n+衬底，一个n-外延层，两个铝接点(6)与(9)，两个栅极区(1)与(2)、在外延层n-设置一个p+结和一个p-结，两个铝接点(6 )与(9)之间设置有绝缘层(7)，两栅极区(1)与(2)各由多晶硅栅极G、栅氧化层4、p-区、n+区构成，其特征在于①铝接点(6)连接n+与p+区，铝接点(9)连接p-与n+区，以在两个n+区形成一个较大的电阳R，并从铝接点(9)上引出阴极K，p...
【专利技术属性】
技术研发人员：弓小武，刘玉书，樊昌信，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]
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