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本发明涉及一种功率半导体器件，该器件主要解决现有半导体器件导通电阻大，导通电流密度小的问题。采用在金属氧化物ＭＯＳ功率场效应管结构中引进寄生的双极晶体管Ｑ，并将两者集成在一起的方案，实现复合型结构的ＭＢＭＴ器件。该器件主要包括有一个ｎ↑［＋...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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