【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到薄膜晶体管结构的制作方法，此薄膜晶体管结构具有被绝缘层与具有沟道区和源/漏区的半导体薄膜隔离的底栅金属区。薄膜晶体管特别适用于电光器件，通常用作外围驱动电路和开关元件。配备有这种集成薄膜晶体管的半导体器件可以用来驱动有源矩阵电光器件的衬底，其中的半导体器件被设置在较大且廉价的衬底上。半导体薄膜可以由非晶硅或多晶硅组成，且其结构可以包含底栅或顶栅结构。通常，与半导体制造技术一样，用来确定薄膜晶体管结构的制作成本和复杂性的此方法的特征是制作薄膜器件基本结构所需的掩模数目因而也是各个掩模对准的数目。因此，能够减少掩模数目的对薄膜晶体管的已知制作方法的任何改变，都具有有利地减少薄膜结构复杂性和生产成本的潜力，还有助于提高这种器件的制造成品率。US-A-5903014讨论了横向形成的n-区的制备，但其缺点是在制作工艺中引入了额外的掩模和/或额外的加工步骤。而且，例如对于CMOS薄膜晶体管器件的制作，还必须有更多的制造步骤，此时，本技术所表现的这种掩模数目的增多就更为明显。现有技术中较多的掩模数目，限制了诸如多晶硅CMOS薄膜晶体管器件之类有潜在优势的结...
【技术保护点】
一种制作薄膜晶体管结构的方法，此薄膜晶体管结构具有被绝缘层与带有沟道区和源／漏区的半导体膜隔离的底栅金属区，其特征是利用栅金属区作为掩模并作为薄膜中栅金属区二侧源／漏区制作的一部分的背面曝光，用背面曝光得到的自对准用来限制源／漏区与沟道区之间的电流路径。
【技术特征摘要】
GB 2000-8-26 0021030.21.一种制作薄膜晶体管结构的方法，此薄膜晶体管结构具有被绝缘层与带有沟道区和源/漏区的半导体膜隔离的底栅金属区，其特征是利用栅金属区作为掩模并作为薄膜中栅金属区二侧源/漏区制作的一部分的背面曝光，用背面曝光得到的自对准用来限制源/漏区与沟道区之间的电流路径。2.权利要求1所述的方法，其中的源/漏区被制作成n-区。3.权利要求2所述的方法，其中的源/漏区在其顶部配备有薄的n+区。4.权利要求3所述的方法，其中借助于在起始n-注入之后提供额外的浅n-注入以便在薄膜顶部建立掺杂而制作薄的n+区。5.权利要求3所述的方法，包括浅n+注入和随后的扩散，以便在薄膜中产生从n+到n-的渐变掺杂分布。6.权利要求2所述的方法，包括激光退火步骤，且其中掺杂剂气体被加入到激光工作室并使掺杂剂在激光退火步骤中能够扩散。7.权利要求1-6中任何一项所述的方法，其中所述背面曝光步骤包含二个背面曝光步...
【专利技术属性】
技术研发人员：ND杨，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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