存储单元阵列及其制造方法以及强电介质存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及构成强电介质电容器的强电介质层具有特定的图形，能够减小信号电极的杂散电容的存储单元阵列及其制造方法，以及强电介质存储装置。存储单元阵列（１００Ａ）中，以矩阵状排列了由强电介质电容器（２０）构成的存储单元。强电介质电容器（２０）具有：第１信号电极（１２）；在与第１信号电极（１２）交叉的方向上排列的第２信号电极（１６）；以及沿着第１信号电极（１２）或者第２信号电极（１６）以直线状配置了的强电介质层（１４）。另外，也可以仅在第１信号电极（１２）与第２信号电极（１６）的交叉区域中以块状配置强电介质层（１４）。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有强电介质电容器的存储单元阵列，特别是涉及不具有晶体管单元、仅使用了强电介质电容器的单纯矩阵型的存储单元阵列及其制造方法，以及包括上述存储单元阵列的强电介质存储装置。在本专利技术的第1存储单元阵列中，以矩阵状排列由强电介质电容器构成的存储单元，上述强电介质电容器包括第1信号电极；在与该第1信号电极交叉的方向上排列的第2信号电极；以及至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，沿着第1信号电极或者第2信号电极以直线状配置上述强电介质层。该存储单元阵列具体地具有(1)上述强电介质层有选择地配置在上述第1信号电极上的结构，以及(2)上述强电介质层有选择地配置在上述第2信号电极下的结构。由于这些存储单元阵列的每一个强电介质层都沿着信号电极的一方以直线状形成，因此能够减少另一方信号电极的杂散电容。进而，本专利技术的第2存储单元阵列中，以矩阵状排列由强电介质电容器构成的存储单元，上述强电介质电容器包括第1信号电极；在与该第1信号电极交叉的方向上排列的第2信号电极；以及至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，仅在上述第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有强电介质电容器的存储单元阵列、其特征在于： 以矩阵状排列由强电介质电容器构成的存储单元， 上述强电介质电容器包括：第１信号电极；在与该第１信号电极交叉的方向上排列的第２信号电极；以及至少配置在上述第１信号电极与上述第２信号电极的交叉区域中的强电介质层， 其中，沿着第１信号电极或者第２信号电极以直线状配置上述强电介质层。

【技术特征摘要】
JP 2000-8-22 251436/001.一种具有强电介质电容器的存储单元阵列、其特征在于以矩阵状排列由强电介质电容器构成的存储单元，上述强电介质电容器包括第1信号电极；在与该第1信号电极交叉的方向上排列的第2信号电极；以及至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，其中，沿着第1信号电极或者第2信号电极以直线状配置上述强电介质层。2.根据权利要求1所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于上述强电介质层有选择地配置在上述第1信号电极上。3.根据权利要求1所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于上述强电介质层有选择地配置在上述第2信号电极下。4.一种具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于以矩阵状排列由强电介质电容器构成的存储单元，上述强电介质电容器包括第1信号电极；在与该第1信号电极交叉的方向上排列的第2信号电极；以及至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，其中，仅在上述第1信号电极与第2信号电极的交叉区域中以块状配置上述强电介质层。5.根据权利要求2所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于在基体上配置上述强电介质电容器，在由上述第1信号电极及上述强电介质层构成的叠层体的相互之间设置电介质层，使之覆盖上述基体的露出面。6.根据权利要求5所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于上述电介质层由具有比上述强电介质层小的介电常数的材料构成。7.根据权利要求5或6所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于在上述基体上形成了具有与该基体的表面不同的表面特性的表面修饰层。8.根据权利要求7所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于上述表面修饰层配置在不形成上述强电介质电容器的区域中，该表面修饰层的表面具有比上述基体的表面低的、对于构成上述强电介质电容器的材料的亲和性。9.根据权利要求7所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于上述表面修饰层配置在形成上述强电介质电容器的区域中，该表面修饰层的表面具有比上述基体的表面高的、对于构成上述强电介质电容器的材料的亲和性。10.根据权利要求3所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于在基体上配置上述强电介质电容器，在由上述强电介质层及上述第2信号电极构成的叠层体的相互之间设置电介质层，使之覆盖上述基体及上述第1信号电极的露出面。11.根据权利要求10所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于上述电介质层由具有比上述强电介质层小的介电常数的材料构成。12.根据权利要求4所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于在基体上配置上述强电介质电容器，在由上述第1信号电极及上述强电介质层构成的叠层体的相互之间设置电介质层，使之覆盖上述基体的露出面的一部分。13.根据权利要求12所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于在上述基体上，还用电介质层覆盖上述基体及上述第1信号电极的露出面。14.根据权利要求12或13所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于上述电介质层由具有比上述强电介质层小的介电常数的材料构成。15.根据权利要求12或13所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于在上述基体上形成具有与该基体的表面不同的表面特性的表面修饰层。16.根据权利要求15所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于上述表面修饰层配置在不形成上述强电介质电容器的区域中，该表面修饰层的表面具有比上述基体的表面低的、对于构成上述强电介质电容器的材料的亲和性。17.根据权利要求15所述的具有强电介质电容器的存储单元阵列，其特征在于上述表面修饰层配置在形成上述强电介质电容器的区域中，该表面修饰层的表面具有比上述基体的表面高的、对于构成上述强电介质电容器的材料的亲和性。18.一种存储单元阵列的制造方法，是以矩阵状排列了由强电介质电容器构成的存储单元的存储单元阵列的制造方法，其特征在于，包括在基体上形成预定图形的第1信号电极的工序；在上述第1信号电极上，沿着该第1信号电极有选择地形成直线状的强电介质层的工序；以及在与上述第1信号电极交叉的方向上形成第2信号电极的工序。19.根据权利要求18所述的存储单元阵列的制造方法，其特征在于，包括在上述基体上形成第1区域和第2区域的工序，其中，所述第1区域具有优先地堆积用于形成上述第1信号电极及上述强电介质层的至少一方的材料的表面特性，所述第2区域具有与所述第1区域相比较难以堆积用于形成上述第1信号电极及上述强电介质层的至少一方的材...

【专利技术属性】
技术研发人员：名取荣治，长谷川和正，小口幸一，西川尚男，下田达也，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]