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公开了一种制作薄膜晶体管结构的方法，此薄膜晶体管结构具有被绝缘层（１８）与带有沟道区和源／漏区（２２）的半导体膜（２０）隔离的底栅金属区（１４），此方法包括背面曝光步骤，其中栅金属区（１４）作为掩模并作为栅金属区（１４）二侧处薄膜（２０）中...
该专利属于皇家菲利浦电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过皇家菲利浦电子有限公司授权不得商用。

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