消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法技术

一种消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法，至少包括如下步骤：进行一蚀刻制程，于基底中形成沟槽；进行一热氧化制程，并同时导入反二氯乙烯做为制程气体，于该沟槽表面成长一衬氧化层，并将该沟槽的多数个角落圆化；形成一绝缘层，填入该沟槽中。具有消除浅沟槽隔离区的漏电流，而且不会造成成本的增加，也不会影响到机台的使用寿命。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种消除浅沟槽隔离区(shallow trench isolation；STI)的漏电流(leakage current)的方法，特别是有关于一种通过将沟槽的角落(corner)圆化，以消除所形成的浅沟槽隔离区的漏电流的方法。传统使用的LOCOS隔离法，由于鸟嘴效应与表面不平坦的限制，在0.25微米以下的电路制作多已被STI所取代。STI的流程如下所述。首先，在硅基板上成长垫氧化层(Pad oxide)与氮化硅层(nitride)，以微影程序定义隔离区后，依序进行垫氧化层、氮化硅层与浅沟槽蚀刻。之后在沟槽的内壁上以热氧法成长衬氧化层(hiner)，以消除蚀刻所造成的损害。再以化学气相沉积(CVD)氧化层充填沟槽内，接着以化学机械研磨(CMP)技术去除表面多出的材料，并以氮化硅层作为研磨终止层(Polish stop)，留下一平坦的表面。最后再将氮化硅层及垫氧化层去除，以进行后续组件的制作。然而，当闸极跨过隔离边缘时，如果组件区的角落(即沟槽的角落)太尖锐，则会因局部电场增强的缘故，使得组件区边际的电晶体特性提早引发，造成(log Id-Vg)关系曲线的次临界区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法，其特征是：至少包括如下步骤： （１）进行一蚀刻制程，于基底中形成沟槽； （２）进行一热氧化制程，并同时导入反二氯乙烯做为制程气体，于该沟槽表面成长一衬氧化层，并将该沟槽的多数个角落圆化； （３）形成一绝缘层，填入该沟槽中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法，其特征是至少包括如下步骤(1)进行一蚀刻制程，于基底中形成沟槽；(2)进行一热氧化制程，并同时导入反二氯乙烯做为制程气体，于该沟槽表面成长一衬氧化层，并将该沟槽的多数个角落圆化；(3)形成一绝缘层，填入该沟槽中。2.根据权利要求1所述的消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法，其特征是该热氧化制程为干式氧化制程。3.根据权利要求1所述的消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法，其特征是该热氧化制程为湿式氧化制程。4.根据权利要求1所述的消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法，其特征是该反二氯乙烯的含量为0.5-5.0％Wt。5.根据权利要求1所述的消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法，其特征是该热氧化制程的温度为900-1150℃。6.一种消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法，其特征是至少包括如下步骤(1)于一基底上依序形成一垫氧化层和一罩幕层；(2)将该垫氧化层和罩幕层图案化，并以图案化后的垫氧化层和罩幕层为一蚀刻罩幕，蚀刻该基底，于该基底中形成一沟槽；(3)于热氧化炉管中，在该沟槽的表面形成一...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖忠庆，李瑞评，赖东明，杜建男，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]