分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确的方法技术

一种分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确的方法，是在利用冗余位修复工艺之后，用以侦测修复是否正确的方法，主要是利用一集中光束照射在晶片上的芯片，然后观察照射后显示于屏幕的物理位元图的影像，当光束对准缺陷的阵列位置时，屏幕显示出两个类似半圆形的亮区；而当光束对准用来作修复坏掉阵列的冗余位时，屏幕上会显示出一亮条纹。由上述的亮条纹与两半圆形的位置，即可侦测出利用冗余位修复工艺后是否正确达到修复的目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种分析动态随机存取存储器(Dynamic RAM，简称DRAM)的方法，且特别涉及一种分析动态随机存取存储器(Dynamic RAM，简称DRAM)冗余位(Redundancy)修复(Repair)是否正确的方法。
技术介绍
一般动态随机存取存储器中的阵列(Array)除了用以执行动作的正常阵列的外，还包括用来修复缺陷阵列的冗余位。这是因为在进行制造动态随机存取存储器的过程中，可能会在阵列中发生缺陷(Defect)。所谓的“冗余位”是指在芯片(Die)上多制作几条行列(Row)或纵列(Column)，这些行列或纵列平常没有作用，但是当阵列有缺陷时，这些冗余位将会作为取代缺陷阵列的替换物，而成为有效(Active)阵列。为说明芯片上阵列与冗余位的位置分布与进行修复缺陷前后的变化，请参阅图1A与图1B。图1A是现有一种动态随机存取存储器的芯片中的阵列与冗余位的位置示意图。请参照图1A，在芯片中包括正常阵列(Normal Array)100与冗余位102。在晶片(Wafer)设计出来后，会进行验证电路设计(Circuit Design)是否有问题，如果阵列100中出现了有缺陷的阵列(Array 120)104时，则会以特定的程序去判断发生设计缺陷的位置(Location)，再进行冗余位修复的工艺。图1B是依照图1A所示的阵列与冗余位经过修复后的位置示意图。请参阅图1B，利用特定的程序去判断发生设计缺陷的位置，并根据冗余位规则(Redundancy Rule)去进行信息存档(File)，再依存档的信息去进行修补之后，也就是经过修复后，冗余位102中的一阵列(Redundancy)106会取代此缺陷阵列(Array 120)104(请见图1A)，而使正常阵列100中原本缺陷阵列(Array 120)104转变成有效阵列(Array 12)108，达到去除缺陷的目的。因此，在制造动态随机存取存储器产品时，“冗余位修复”是提高优良率与修补缺陷的重要方法。上述均为现有的步骤，然而，在进行冗余位修复后，往往会发现动态随机存取存储器中仍会有缺陷存在，所以无法确定电路设计是好的还是坏的；而且修补后也无法得知到底有没有正确修复缺陷处，还是将原本正确的阵列线路用冗余位取代修复，而没有解决缺陷的问题。如果要确定冗余位修复是否完备，就必须经过重复制作动态随机存取存储器元件(DRAM Cell)与不断进行测试以验证设计是否错误的尝试法(Try-and-error Method)，如此一来将大幅增加工艺时间并提高工艺的复杂性。另外，众所周知，为了解决冗余位修复后，无法确定设计是好的还是坏的，以及无法得知到底有没有正确修复缺陷处的问题，会执行一设计测试模式(Design In Test Mode)，去进行测试已经修复完的冗余位数据(Data)，否则只能靠大量的资料与重复的激光(Laser)去验证，既费时又花功夫。然而，此一现有的测试模式又因为会增加芯片的面积，故对成本而言是一大负担。
技术实现思路
因此，本专利技术提供一种，可以在冗余位修复工艺后，明确侦测电路设计是不是正确以及得知到底有没有正确修复缺陷处，以节省工艺时间、使工艺简单化以及降低工艺成本。此外，本专利技术提供一种分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确的装置，可以利用此种装置进行分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确，以节省工艺时间、使工艺简单化以及降低工艺成本。本专利技术的侦测原理主要是利用动态随机存取存储器元件的特性即可验证冗余位修复是否正确。所谓动态随机存取存储器元件的特性是利用位于自动针测机与光源间的凸透镜将光源集中于芯片，以对准阵列部分，将光源集中至一点，并使此点小到能够只照到一小部分的阵列。当动态随机存取存储器元件一旦照光，则会造成漏电(Leakage)情形加重，使原本存数据“1”的元件，在一段时间后，变成存数据“0”，这就是所谓的更新时间(Refresh Time)。利用更新时间测试让照光的阵列元件失效(Fail)，而没照光的阵列元件不会失效(Pass)，即可在电脑屏幕上看到所谓的物理位元图(Physical bit Map)。本专利技术提供一种，是在利用冗余位修复工艺之后，用以侦测修复是否正确的方法，主要是利用一集中光束照射在晶片上的芯片，然后观察照射后显示于屏幕的物理位元图影像，当光束对准缺陷的阵列位置时，屏幕显示出两个类似半圆形的亮区；而当光束对准用来作修复坏掉阵列的冗余位时，屏幕上会显示出一亮条纹。由上述的亮条纹与两半圆形的位置，即可侦测出利用冗余位修复工艺之后是否正确达到修复的目的。本专利技术提供一种分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确的装置，其装置包括一自动针测机、一光源与一凸透镜。其中，预测芯片置于自动针测机上，而光源位于自动针测机上方，利用位于自动针测机与光源间的凸透镜将光源集中于芯片，以对准预测的阵列。本专利技术提供一种，可以在冗余位修复工艺后，明确侦测电路设计是不是正确以及验证缺陷位置的坐标有没有错误，以节省工艺时间、使工艺简单化以及降低工艺成本。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，作详细说明如下图1A是现有一种动态随机存取存储器的芯片中的阵列与冗余位的位置示意图；图1B是依照图1A所示的阵列与冗余位经过修复后的位置示意图；图2是依照本专利技术一优选实施例的一种分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确的装置示意图；图3A是依照本专利技术一优选实施例的一种动态随机存取存储器的芯片中的阵列与冗余位的位置示意图；图3B是依照图3A中所示的光束照射缺陷阵列所得的物理位元图；图4A是依照图3A所示的阵列与冗余位经过修复后的位置示意图；图4B是依照图4A中所示的光束照射经冗余位修复的有效阵列所得的物理位元图；以及图4C是依照图4A中所示的光束照射用来修复缺陷阵列的冗余位阵列所得的物理位元图。附图标记简单说明如下100、300正常阵列 102、302冗余位104、304缺陷阵列 106、306冗余位中的阵列108、308有效阵列 200自动针测机202光源 204凸透镜206晶片 208集中光束310、316、318点 312屏幕314、320、322影像具体实施方式图2是依照本专利技术一优选实施例的一种分析动态随机存取存储器(Dynamic RAM，简称DRAM)冗余位修复(Redundancy Repair)的装置示意图。请参照图2，此装置包括一自动针测机200、一光源202与一凸透镜204。其中，欲测晶片(Wafer)206置于自动针测机200上，而光源202位于自动针测机200上方，利用位于自动针测机200与光源202间的凸透镜204，将光源202发出的集中光束208集中于晶片206，以对准预测芯片(Die)中的阵列(Array)部分。为详细说明使用此分析动态随机存取存储器冗余位修复的装置，进行，请参照图3A。图3A是依照本专利技术一优选实施例的一种动态随机存取存储器的芯片中的阵列与冗余位的位置示意图。请参照图3A，在动态随机存取存储器的芯片中包括正常阵列300与冗余位302，所谓的“冗余位”302是指在芯片上多制作几条行列(Row)或纵列(Column)的多余的阵列，而本实施例中的冗余本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确的方法，适于验证一芯片上的一缺陷阵列是否被一冗余位阵列正确修复，其步骤包括： 利用一集中光束照射该缺陷阵列； 观察该缺陷阵列呈两半圆形的物理位元图，用以确认该缺陷阵列的相对位置； 利用该集中光束照射该芯片上的该冗余位阵列；以及 依照该冗余位阵列呈条状的物理位元图的位置，确认该冗余位阵列是否正确修复该缺陷阵列，其中 如果该冗余位阵列呈条状的物理位元图位于该缺陷阵列呈两半圆形的物理位元图中两半圆形之间，则验证该缺陷阵列被该冗余位阵列正确修复；以及 如果该冗余位阵列呈条状的物理位元图不是位于该缺陷阵列呈两半圆形的物理位元图中两半圆形之间，则验证该缺陷阵列没有被该冗余位阵列正确修复。

【技术特征摘要】
US 2001-9-6 09/948,0731.一种分析动态随机存取存储器冗余位修复是否正确的方法，适于验证一芯片上的一缺陷阵列是否被一冗余位阵列正确修复，其步骤包括利用一集中光束照射该缺陷阵列；观察该缺陷阵列呈两半圆形的物理位元图，用以确认该缺陷阵列的相对位置；利用该集中光束照射该芯片上的该冗余位阵列；以及依照该冗余位阵列呈条状的物理位元图的位置，确认该冗余位阵列是否正确修复该缺陷阵列，其中如果该冗余位阵列呈条状的物理位元图位于该缺陷阵列呈两半圆形的物理位元图中两半圆形之间，则验证该缺陷阵列被该冗余位阵列正确修复；以及如果该冗余位阵列呈...

【专利技术属性】
技术研发人员：何明瑾，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]