【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种静电放电保护元件(Electrostatic Discharge，ESD)，且特别是有关于一种在互补式金氧半工艺中，可均匀开启的静电放电保护元件的结构。
技术介绍
静电放电为自非导电表面的静电移动的现象，其会造成集成电路中的半导体与其它电路组成的损害。例如在地毯上行走的人体，于相对湿度较高的情况下可检测出约带有几百至几千伏的静态电压，而在相对湿度较低的情况下可检测出约带有一万伏以上的静态电压。在封装集成电路的机器或测试集成电路的仪器，也可能产生约几百至几千伏的静态电压。当上述的带电体(人体、机器或仪器)接触到晶片时，将会向晶片放电，此静电放电的瞬间功率有可能造成晶片中的集成电路损坏或失效。因此，为了避免静电放电损伤晶片中的集成电路，各种静电放电保护元件的设计便因应而生。附图说明图1所示，其为公知一种静电放电保护元件的俯视图；图2所示，其为图1由I-I’的剖面示意图。请参照图1与图2，传统的静电放电保护元件，会设计成多指状结构(Multi-Finger Type)。此元件是在P型基底10上设置有一金氧半晶体管区(MOS Transistor...
【技术保护点】
一种静电放电保护元件，其特征是，该元件包括：一基底；一第一寄生双载子晶体管，配置在该基底中，该第一寄生双载子晶体管具有一第一发射极、一第一集电极以及一第一基极；一第二寄生双载子晶体管，配置在该基底中，该第二寄生双载子晶体管具有一 第二发射极、一第二集电极以及一第二基极，其中该第二集电极相邻于该第一集电极；一第一长形掺杂区，配置在该第一集电极以及该第二集电极之间；一第三寄生双载子晶体管，配置在该基底中，该第三寄生双载子晶体管具有一第三发射极、一第三集电极以及一 第三基极，其中该第三发射极与该第二射极相连接；一第四寄生双载子晶体管，配置在该基...
【技术特征摘要】
US 2002-5-9 10/141,9101.一种静电放电保护元件，其特征是，该元件包括一基底；一第一寄生双载子晶体管，配置在该基底中，该第一寄生双载子晶体管具有一第一发射极、一第一集电极以及一第一基极；一第二寄生双载子晶体管，配置在该基底中，该第二寄生双载子晶体管具有一第二发射极、一第二集电极以及一第二基极，其中该第二集电极相邻于该第一集电极；一第一长形掺杂区，配置在该第一集电极以及该第二集电极之间；一第三寄生双载子晶体管，配置在该基底中，该第三寄生双载子晶体管具有一第三发射极、一第三集电极以及一第三基极，其中该第三发射极与该第二射极相连接；一第四寄生双载子晶体管，配置在该基底中，该第四寄生双载子晶体管具有一第四发射极、一第四集电极以及一第四基极，其中该第四集电极相邻于该第三集电极；一第二长形掺杂区，配置在该第四集电极以及该第三集电极之间；一防护环，配置在该基底的周围；以及一隔离区，配置在该防护环的内部，以使该防护环与该第一/第二/第三/第四寄生双载子晶体管隔离开来，并同时使该第一集电极、该第一长形掺杂区以及该第二集电极之间隔离开来，使该第三集电极、该第二长型掺杂区以及该第四集电极之间隔离开来。2.如权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征是，更包括一深井区，配置在该第一发射极以及与其相邻的该隔离区底下的该基底中，并且配置在该第四发射极以及与其相邻的该隔离区底下的该基底中。3.如权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征是，更包括一深井区，配置在该第一集电极与该第二集电极以及与其相邻的隔离区底下的基底中，并且配置在该第三集电极与该第四集电极以及与其相邻的该隔离区底下的基底中。4.如权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征是，更包括一第一深井区，配置在该第一发射极以及与其相邻的该隔离区底下的该基底中，并配置在该第四发射极以及与其相邻的该隔离区底下的该基底中；以及一第二深井区，配置在该第一集电极与该第二集电极以及与其相邻的隔离区底下的基底中，并且配置在该第三集电极与该第四集电极以及与其相邻的该隔离区底下的基底中。5.如权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征是，更包括一第一金氧半晶体管，配置在该基底上，该第一金氧半晶体管包括一栅极、一源极以及一漏极，且该源极即为该第一发射极，该漏极即为该第一集电极。6.如权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征是，更包括一第二金氧半晶体管，配置在该基底上，该第二金氧半晶体管包括一栅极、一源极以及一漏极，且该源极即为该第二发射极，该漏极即为该第二集电极。7.如权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征是，更包括一第三金氧半晶体管，配置在该基底上，该第三金氧半晶体管包括一栅极、一源极...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈东旸，唐天浩，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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