静电放电保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种静电放电保护电路，其包含一ＮＰＮ达林顿电路，以及一Ｎ型金属氧化物半导体晶体管。该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于该ＮＰＮ达林顿电路的输入端，该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的源极连接于该ＮＰＮ达林顿电路的控制端，该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于该ＮＰＮ达林顿电路的输出端。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电放电保护电路，尤其涉及一种NPN达林顿(Darlington)静电放电保护电路。
技术介绍
静电(Static Electricity)可以说是无所不在的，任何两个不同材质的物体摩擦，都有可能产生静电。而当带有静电的物体接触到IC(集成电路)的金属接脚时所产生的瞬间高压放电，会经由金属接脚影响内部电路(internalcircuit)，所以说经由静电放电(electrostatic discharge，ESD)所引起的损害，很可能造成电子系统的失效。静电放电保护电路的主要功能是当有静电放电发生时，在静电放电的脉冲(pulse)未到达内部电路之前先行启动，以迅速地消除过高的电压，进而减少静电放电现象所导致的破坏，同时该保护电路也必须能承受静电放电脉冲的能量而不会对保护电路本身造成损害。另外就是该静电放电保护电路必须只有在静电放电发生时才会动作，其它的时间则是不动作的，以免影响电子系统的正常运作。请参考图1，图1为现有双极结晶体管的静电放电保护电路的电路图。如图1所示，在双极型互补金属氧化物半导体晶体管(BiCMOS)工艺中，以一个NPN双极结晶体管(NPN B本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电保护电路，其包括：一ＮＰＮ达林顿电路，其具有一输入端及一输出端，该ＮＰＮ达林顿电路的输出端接地；以及一Ｎ型金属氧化物半导体晶体管，其漏极连接于该ＮＰＮ达林顿电路的输入端，该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的源极连接于该 ＮＰＮ达林顿电路的控制端，该Ｎ型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于该ＮＰＮ达林顿电路的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护电路，其包括一NPN达林顿电路，其具有一输入端及一输出端，该NPN达林顿电路的输出端接地；以及一N型金属氧化物半导体晶体管，其漏极连接于该NPN达林顿电路的输入端，该N型金属氧化物半导体晶体管的源极连接于该NPN达林顿电路的控制端，该N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于该NPN达林顿电路的输出端。2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中该NPN达林顿电路包括二个NPN双极结晶体管，每一个NPN双极结晶体管包含一N+掩埋层，一P阱，形成于该N+掩埋层的上侧，一N阱，以环绕该P阱的方式形成于该N+掩埋层的上侧，以及一N+极，形成于该P阱的上侧；而该N型金属氧化物半导体晶体管包含一N+掩埋层，一P阱，形成于该N+掩埋层的上侧，一N阱，以环绕该P阱的方式形成于该N+掩埋层的上侧，以及二个N+极，形成于该P阱的上侧。3.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其中该二个双极结晶体管及该N型金属氧化物半导体晶体管形成于一P型衬底上，而该二个NPN双极结晶体管及该N型金属氧化物半导体晶体管的N阱用来将其P阱与该P型衬底隔离。4.如权利要求3所述的静电放电保护电路，其中该P型衬底上形成有一P型外延层，而该二个双极结晶体管及该N型金属氧化物半导体晶体管形成于该P型外延层上。5.如权利要求3所述的静电放电保护电路，其中该P型衬底上形成有一N型外延层，而该二个双极结晶体管及该N型金属氧化物半导体晶体管形成于该N型外延层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑道，余定政，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]