用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其是形成于一耦接至ＶＳＳ电源的Ｐ型基底中，具有浮接的Ｎ型井区、依于Ｎ型井区中且耦接至输入焊垫的Ｐ型浓掺杂区以及同时与Ｎ型井区与Ｐ型基底邻接的Ｎ型或Ｐ型浓掺杂区。此结构相当于一基极浮接且具有低崩溃电压的双载子接面电晶体，可对具有过高或过低输入电压准位的集成电路提供静电放电保护且不会在其输入信号端造成漏电流或输入信号失真的问题。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种静电放电保护装置，尤其涉及一种适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置。
技术介绍
因静电放电所造成的元件损害对集成电路产品来说已经成为最主要的可靠度问题之一。尤其是随着尺寸不断地缩小至深次微米的程度，金氧电晶体中的闸极氧化层也越来越薄，集成电路更容易因静电放电现象而遭受破坏。在一般的工业标准中，集成电路产品的输出入接脚(I/O pin)必需能够通过2000伏特以上的人体模式静电放电测试以及200伏特以上的机械模式静电放电测试。因此，在集成电路产品中，静电放电防护元件必需设置在所有输出入焊垫(pad)附近，以保护内部的核心电路(core circut)不受静电放电电流的侵害。图1～图3显示了三个传统用以提供静电放电保护功能的输入电路设计。图1显示了第一种静电放电保护装置1，其包含了两个二极管11及12，分别连接于输入焊垫13与供应电压源VDD之间，及焊垫13与供应电压源VSS之间。当一正静电放电脉冲在输入焊垫13上产生时，会使二极管导通，而使静电放电电流由输入焊垫13流向电压源VDD，而阻止其流入核心电路14中。同样地，当一负静电放电脉冲在输入焊垫13上产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，在一第一及第二节点间提供一静电放电电流路径以保护一集成电路不受静电放电损害，其特征在于该装置包括以下部分：一基底，具有一第一型导电性，电性耦接至该第一节点；一第一掺杂区，位 于该基底中，具有一第二型导电性，且处于浮接状态；一第二掺杂区，位于该第一掺杂区中，具有该第一型导电性，电性耦接至该第二节点；以及一第三掺杂区，位于该基底中且与该第一掺杂区邻接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，在一第一及第二节点间提供一静电放电电流路径以保护一集成电路不受静电放电损害，其特征在于该装置包括以下部分一基底，具有一第一型导电性，电性耦接至该第一节点；一第一掺杂区，位于该基底中，具有一第二型导电性，且处于浮接状态；一第二掺杂区，位于该第一掺杂区中，具有该第一型导电性，电性耦接至该第二节点；以及一第三掺杂区，位于该基底中且与该第一掺杂区邻接。2.权利要求1所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该第三掺杂区具有该第二型导电性。3.权利要求2所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该第三掺杂区的一掺杂浓度大于该第一掺杂区的一掺杂浓度。4.权利要求3所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该装置还包括一第四掺杂区，位于该基底中，具有该第一型导电性，且将该基底电性耦接至该第一节点。5.权利要求4所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该装置还包括一静电放电离子分布区，位于该基底中及该第三掺杂区下方，并与该第三掺杂区邻接。6.权利要求5所述的适用于过高或过低输入电压单位的静电放电保护装置，其特征在于该装置还包括多个绝缘层，位于该基底，将该第一、第三及第四掺杂区相互隔离。7.权利要求6所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该第一型导电性是P型，该第二型导电性是N型。8.权利要求2所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该集成电路分别经由一第一及第二电源线接收一第一供应电压准位及一低于该第一供应电压准位的第二供应电压准位，且经由一输入焊垫接收一输入信号，该第一及第二节点分别电性耦接至该第二电源线及该输入焊垫，该输入信号具有一高于该第一供应电压准位的最高电压准位，以及一低于该第二供应电压准位的最低电压准位。9.权利要求6所述的适用于过高或过低输入电压准攸的静电放电保护装置，其特征在于该装置还包括一电源线间静电放电钳制电路，连接于该第一及第二电源线之间。10.权利要求7所述的适用于过高或过低输入电压单位的静电放电保护装置，其特征在于该装置还包括一二极管将该第一节点电性耦接至该第二电源线，具有一正极连接至该第一节点以及一负极连接至该第二电源线。11.权利要求7所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该装置还包括一组同向串联的二极管将该第一节点电性耦接至该第二电源线，具有一正极连接至该第一节点以及一负极连接至该第二电源线。12.权利要求1所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该第三掺杂区具有该第一型导电性。13.权利要求12所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该第三掺杂区的一掺杂浓度大于该基底的一掺杂浓度。14.权利要求13所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该装置还包括一第四掺杂区，位于该基底中，具有该第一型导电性，且将该基底电性耦接至该第一节点。15.权利要求14所述的适用于过高或过低输入电压准位的静电放电保护装置，其特征在于该装置还包括一静电放电离子分布区，位于该基底中及该第三掺杂区下方，并与该第三掺杂区邻接。16.权利要求15所述的适用于过高或过低输入电...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯明道，罗文裕，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]