【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到半导体集成电路器件的制造方法以及多芯片模块的制造方法，更确切地说是涉及到能够有效地用于光刻的一种技术，其中，在半导体集成电路器件的制造工艺中，利用光掩模(以下称为掩模)将预定的图形印制到半导体晶片(以下称为晶片)上。
技术介绍
在半导体集成电路器件(LSI，即大规模集成电路)的制造工艺中，光刻技术被用作在晶片上形成精细图形的一种方法。作为光刻技术的所谓光学投影曝光方法已经成为主流，其中利用缩小的投影光学系统将形成在各个掩模上的图形重复地印制到晶片上。在日本专利公开No.2000-91192中，公开了曝光装置的基本构造。在这种投影曝光方法中，晶片上的分辨率R通常被表示为R＝k×λ/NA，其中k表示与抗蚀剂材料和工艺有关的常数，λ表示曝光的波长，而NA表示投影透镜的数值孔径。正如从关系式显见，随着图形变得更为精细，投影曝光技术就必须采用波长更短的光源。目前是利用以汞灯的i射线(λ＝365nm)或KrF准分子激光器(λ＝248nm)作为照明光源的投影曝光装置来制造LSI。为了使图形更加精细，需要波长更短的光源，已经探讨过采用ArF准分子激光器(λ＝1...
【技术保护点】
一种制造半导体集成电路器件的方法，包括下列步骤： 选择以金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩模和以有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的第二光掩模中的一个；以及 将形成在被选择的第一或第二光掩模上的图形投影并曝光到形成在半导体衬底上的感光层上， 其中所述第二光掩模的不透明膜是抗反射层和有机感光树脂膜的叠层膜。
【技术特征摘要】
JP 2000-8-15 246466/20001.一种制造半导体集成电路器件的方法，包括下列步骤选择以金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩模和以有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的第二光掩模中的一个；以及将形成在被选择的第一或第二光掩模上的图形投影并曝光到形成在半导体衬底上的感光层上，其中所述第二光掩模的不透明膜是抗反射层和有机感光树脂膜的叠层膜。2.一种制造多芯片模块的方法，包括下列步骤包括至少一次利用以金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩模而将预定图形形成在第一半导体衬底上的步骤，制造多个第一半导体集成电路器件；包括至少一次利用以有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的第二光掩模而将预定图形形成在第二半导体衬底上的步骤，制造多个第二半导体集成电路器件；以及将所述第一半导体集成电路器件和所述第二半导体集成电路器件封装在同一个印刷电路板上。3.根据权利要求2的制造多芯片模块的方法，其特征在于，所述第一半导体集成电路器件包括存储器件。4.根据权利要求2的制造多芯片模块的方法，其特征在于，所述第二半导体集成电路器件包括逻辑器件。5.根据权利要求2-4中任意一项的制造多芯片模块的方法，其特征在于，所述第一和第二半导体集成电路器件用面向下键合的方法被电连接到所述印刷电路板。6.一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含对写入了图形的光掩模进行照明，并经由曝光光学系统反复执行投影曝光，从而将所述图形印制到半导体衬底上，顺序形成预定的图形的步骤，其特征在于，当每个光掩模所需的曝光处理数目大于预定数目时，使用以金属膜作为不透明元件的光掩模，而当每个光掩模所需的曝光处理数目小于预定数目时，使用以含有机感光树脂膜的有机材料作为不透明元件的光掩模。7.根据权利要求6的制造半导体集成电路器...
【专利技术属性】
技术研发人员：寺泽恒男，田中稔彦，宫崎浩，长谷川升雄，森和孝，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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