【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到半导体存储器件及其制造方法，尤其涉及到电可擦除可编程只读存储器(electrically erasable programmable read only memory，EEPROM)单元及其制造方法。
技术介绍
通常，EEPROM单元有与可擦除可编程只读存储器(erasableprogrammable read only memory，EPROM)单元相似的浮栅。而且，EEPROM单元和EPROM单元都可通过向浮栅注入电子或从浮栅排出电子来编程或擦除。然而，EEPROM单元注入电子和排出电子的机理与EPROM单元的机理完全不同。在EPROM单元里，在编程操作过程中，向浮栅中注入从源区向漏区加速的沟道热电子，在擦除操作中，通过紫外(UV)光的能量排出存储在浮栅里的电子。然而，在EEPROM单元中，编程操作和擦除操作是通过在约10MV/cm的高电场下流过隧道氧化物层的福勒-诺尔德哈姆(FowlerNordheim，FN)隧道电流来实现的。典型地，基于浮栅隧道氧化物(floating gate tunnel oxide，FLOTOX)型的EEPROM...
【技术保护点】
一种电可擦除可编程只读存储器单元，包括：一隔离层，形成在半导体衬底中用于限定有源区；一源区、一掩埋Ｎ↑［＋］区和一漏区，形成在该有源区中且彼此分离；一单元耗尽区，形成在该掩埋Ｎ↑［＋］区和该漏区之间的该有源区中，该掩 埋Ｎ↑［＋］区与该单元耗尽区接触；位于所述源区与所述掩埋Ｎ↑［＋］区之间的第一沟道区；位于所述单元耗尽区与所述漏区之间的第二沟道区；一存储栅，形成在所述第一沟道区和所述掩埋Ｎ↑［＋］区上；一选择栅，形成在所述 第二沟道区上；和一隧道氧化物层，形成在所述掩...
【技术特征摘要】
KR 2003-1-24 4802/031.一种电可擦除可编程只读存储器单元，包括一隔离层，形成在半导体衬底中用于限定有源区；一源区、一掩埋N+区和一漏区，形成在该有源区中且彼此分离；一单元耗尽区，形成在该掩埋N+区和该漏区之间的该有源区中，该掩埋N+区与该单元耗尽区接触；位于所述源区与所述掩埋N+区之间的第一沟道区；位于所述单元耗尽区与所述漏区之间的第二沟道区；一存储栅，形成在所述第一沟道区和所述掩埋N+区上；一选择栅，形成在所述第二沟道区上；和一隧道氧化物层，形成在所述掩埋N+区上，其中，该隧道氧化物层的边缘与所述掩埋N+区的边缘之间的距离是等距的。2.如权利要求1所述的电可擦除可编程只读存储器单元，其中所述存储栅包括一浮栅；在该浮栅上的一中间栅介电层；和在该中间栅介电层上的控制栅电极。3.如权利要求1所述的电可擦除可编程只读存储器单元，其中所述选择栅包括一下选择栅；在该下选择栅上的一中间栅介电层；和在该中间栅介电层上的一上选择栅，该上选择栅电连接于该下选择栅。4.一种制造电可擦除可编程只读存储器单元的方法，包括在半导体衬底上形成隔离层，以限定有源区；在该有源区上形成栅氧化物层；在该栅氧化物层上形成掩模图案，该掩模图案具有暴露部分的该栅氧化物层的开口；用该掩模图案作为离子注入掩模，将杂质离子注入到所述有源区中，由此在该有源区中形成掩埋N+区；在该开口的侧壁上形成间隔图案，以限定由该间隔图案包围的隧道区；用所述掩模图案和所述间隔图案作为蚀刻掩模蚀刻该隧道区中的所述栅氧化物层，由此暴露出所述掩埋N+区；除去所述掩模图案和所述间隔图案；在所述隧道区里的所述掩埋N+区上形成隧道氧化物层；和同时形成掩埋N+区上的存储栅和与该存储栅分离的选择栅。5.如权利要求4所述的方法，还包括用所述存储栅和所述选择栅作为离子注入掩模，将杂质离子注入到所述半导体衬底中，由此形成一源区、一单元耗尽区和一漏区，其中所述单元耗尽区形成在所述存储栅与所述选择栅之间的有源区中以连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：金荣浩，申镐奉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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