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本发明提供了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）单元及其制造方法。ＥＥＰＲＯＭ单元包括：形成在半导体衬底上的、用来限定有源区的隔离层；在有源区中顺次设置的源区、掩埋Ｎ↑［＋］区和漏区。所配置的存储栅横跨掩埋Ｎ↑［＋］区。第一沟道区形成在...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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