半导体集成电路器件的制造方法技术

一种半导体集成电路器件的制造方法，包括（ａ）使用催化剂在第一温度下合成湿气；（ｂ）保持湿气为气体状态，将其供给到晶片上方以形成含有氧气的第一湿氧化气氛；（ｃ）将晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，在第一湿氧化气氛下对晶片的第一主表面的第一硅表面区进行热氧化，形成第一场效应晶体管的第一栅绝缘膜；（ｄ）在步骤（ｃ）之后，在第三温度下使用催化剂来合成湿气；（ｅ）保持步骤（ｄ）中合成的湿气为气态并把它供给到晶片上方，以形成含有氧气的第二湿氧化气氛；（ｆ）通过将第一主表面加热到高于第三温度的第四温度，在第二湿氧化气氛下对第一主表面的第二硅表面区进行热氧化，形成第二场效应晶体管的第二栅绝缘膜，第二绝缘膜的厚度比第一绝缘膜的厚度小。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为1998年3月4日、分案提交日为2003年4月25日、申请号为03123307.4、专利技术名称为“”的专利申请的分案申请。本专利技术涉及包括半导体器件的，特别涉及适用于形成如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的栅氧化膜(绝缘膜)的技术。在半导体工业的最初阶段，广泛地使用起泡，即如氧气等的携带气体穿过起泡器中的水。虽然该技术的优点在于可以提供宽范围的湿气含量，但不能避免污染的问题，由此目前已很少使用该技术。因此，已广泛使用的氧气和氢气燃烧法，即致热系统，以避免起泡器的不足。对于本专利技术致力于的改进热氧化和为此使用的湿气产生法，以下为已知的现有技术。(1)在Ohmi的日本专利特许公开No.Hei 6-163517中，介绍了一种在半导体工艺中降低温度的低温氧化技术。在该应用例1申，提出了一种方法，其中氢气添加到包括约99％的氢气和约1％的氧气气体气氛中，添加量从100ppm到1％，在700℃以下特列是450℃以下的氢气燃烧温度通过不锈钢催化剂的作用得到水蒸汽。此外，在应用例2中，指出在由99％的氧气和1％的水蒸汽的气氛中热氧化硅，水蒸汽是使用催化剂在600℃的氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：（ａ）使用催化剂在第一温度下合成湿气；（ｂ）保持所述湿气为气体状态，并将其供给到晶片上方以形成含有氧气的第一湿氧化气氛；（ｃ）通过将所述晶片的第一主表面加热到高于第一温 度的第二温度，在第一湿氧化气氛下对所述晶片的所述第一主表面的第一硅表面区进行热氧化，因此形成第一场效应晶体管的第一栅绝缘膜；（ｄ）在步骤（ｃ）之后，在第三温度下使用催化剂来合成湿气；（ｅ）保持步骤（ｄ）中合成的湿气为气态并把 它供给到所述晶片上方，以形成含有氧气的第二湿氧化气氛；（ｆ）通过将所述第一主表面...

【技术特征摘要】
JP 1997-3-5 050781/19971.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤(a)使用催化剂在第一温度下合成湿气；(b)保持所述湿气为气体状态，并将其供给到晶片上方以形成含有氧气的第一湿氧化气氛；(c)通过将所述晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，在第一湿氧化气氛下对所述晶片的所述第一主表面的第一硅表面区进行热氧化，因此形成第一场效应晶体管的第一栅绝缘膜；(d)在步骤(c)之后，在第三温度下使用催化剂来合成湿气；(e)保持步骤(d)中合成的湿气为气态并把它供给到所述晶片上方，以形成含有氧气的第二湿氧化气氛；(f)通过将所述第一主表面加热到高于所述第三温度的第四温度，在所述第二湿氧化气氛下对所述晶片的所述第一主表面的第二硅表面区进行热...

【专利技术属性】
技术研发人员：田边义和，酒井哲，夏秋信义，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]