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一种半导体集成电路器件的制造方法，包括（ａ）使用催化剂在第一温度下合成湿气；（ｂ）保持湿气为气体状态，将其供给到晶片上方以形成含有氧气的第一湿氧化气氛；（ｃ）将晶片的第一主表面加热到高于第一温度的第二温度，在第一湿氧化气氛下对晶片的第一主表...
该专利属于株式会社日立制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立制作所授权不得商用。

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