【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子包装领域。电子包装物可用来封装和保护半导体电路器件(芯片),同时提供电连接,使芯片电路与外部组件连在一起,如印刷电路板中的那些组件。具体地,本专利技术涉及气穴封装,在这些封装中,芯片处于充满空气的空穴中,空气的低介电常数可提高芯片的性能。特别地,本专利技术意在解决按如下方式密封芯片和气穴外面的封装物时碰到的困难,即在生产封装的高温下和使用封装的条件下能保持气密性。
技术介绍
电子封装由密封在护套中的芯片组成,引线穿透护套壁,使芯片电路与外部电路,如印刷线路板上的电路实现电连接。本专利技术研究的封装是电子工业中所谓的“气穴封装”,因为芯片位于护套内部充满空气的空穴里,空气由于介电常数低而充作电绝缘体。当电子器件为微波功率芯片时,这种绝缘能力特别有用。当芯片需要透光性时,如CCD和CMOS器件,气穴也很有用,因为空气允许光到达芯片的表面。当前,芯片采用极度精细的线路和高电流密度,为了达到稳定可靠的性能,封装必须密封得能抵抗水蒸气和其他空气组分的渗入。同时,所述封装必须能够散开芯片在使用中产生的热量。散热性能常常通过封装的底部实现,因此,要使用导热材 ...
【技术保护点】
封装半导体电路器件,形成密封气穴封装的方法,所述方法包括: (a)在超过250℃的温度下将所述半导体电路器件焊接到导热基底上; (b)步骤(a)完成之后,在低于200℃的温度下在侧壁和所述金属基底之间形成密封,将所述侧壁塑料框架固定到所述金属基底上,从而部分包围所述半导体电路器件,所述塑料框架或所述导热基底上预先形成导电引线,使所述引线穿透所述半封闭封装; (c)使所述半导体电路器件的电路与所述引线实现连接; (d)将盖子固定到所述半封闭封装上,从而将所述半导体电路器件密封在几乎不漏气的室中。
【技术特征摘要】
US 2001-7-12 09/904,5831.封装半导体电路器件,形成密封气穴封装的方法,所述方法包括(a)在超过250℃的温度下将所述半导体电路器件焊接到导热基底上;(b)步骤(a)完成之后,在低于200℃的温度下在侧壁和所述金属基底之间形成密封,将所述侧壁塑料框架固定到所述金属基底上,从而部分包围所述半导体电路器件,所述塑料框架或所述导热基底上预先形成导电引线,使所述引线穿透所述半封闭封装;(c)使所述半导体电路器件的电路与所述引线实现连接;(d)将盖子固定到所述半封闭封装上,从而将所述半导体电路器件密封在几乎不漏气的室中。2.权利要求1所述方法,其特征在于步骤(a)所述温度在300-400℃范围内。3.权利要求1所述方法,其特征在于步骤(b)所述温度在125-185℃范围内。4.权利要求1所述方法,其特征在于所述导热基底是金属基底,选自铜、以铜为主组分的铜合金、铁-镍合金和铁-镍-钴合金,且所述盖子为塑料。5.权利要求1所述方法,其特征在于所述导热基底选自Al2O3、BeO、AlN、SiN和用BaO、SiO2或CuO改性的Al2O3,且所述盖子是玻璃。6.权利要求1所述方法,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:RS布雷甘迪,T谢弗,KS梅伦,RJ罗斯,
申请(专利权)人:RJR聚合物股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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