【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及含氟芳香族聚合物及其用途。
技术介绍
随着电子设备及多层配线板等的日益微小化及高集成化，要求与之相适应的相对介电常数更低的绝缘膜。为了满足该要求、同时可确保在电子设备或多层配线板的制造工序中所必需的350℃以上、最好为425℃以上的耐热性，正在讨论使用含氟芳香族聚合物(以下称FAP。)。例如，在专利第3064011号公报、美国专利5115082号说明书、美国专利59-59157号说明书、特开平9-202824号公报、特开平10-247646号公报、J.Polm.Sci.PartAPolm.Chem.，vol.36，2881(1998)等中，作为FAP公开了含有醚键的含氟芳香族聚合物(以下称聚亚芳基醚或PAE。)。其相对介电常数为2.5-2.9左右，讨论将其作为电子设备或多层配线板的绝缘膜(以下称本绝缘膜。)使用。该PAE中的亚芳基结构为全氟亚苯基、全氟亚联苯基、全氟亚萘次甲基(ナフタニレン)等。PAE为直链，其玻璃化转变温度(以下称Tg。)低、耐热性不充分。如果在PAE中引入交联性官能团、形成交联结构，则可提高Tg，但相对介电常数上升到2.7-3...
【技术保护点】
含氟芳香族聚合物，其特征在于，采用选自下述①、②及③的方法中的１种以上的方法，由下述式１所示的支化结构的含氟芳香族化合物（Ｂ）制造，１分子中含有２个以上交联性官能团（Ａ），数均分子量为１×１０↑［３］～５×１０↑［５］，含有醚键，式 １＊＊＊其中，ｍ及ｎ分别独立地表示１～４的整数，ｐ、ｑ及ｒ分别独立地表示０或１～５的整数，ａ、ｂ及ｃ分别独立地表示０或１～３的整数，２≤ｍ＋ｎ≤５，①使上述式１所示的支化结构的含氟芳香族化合物（Ｂ）和含有交联性官能团 （Ａ）及酚性羟基的化合物（Ｙ１）在脱ＨＦ剂存在下进行缩合反应的方法；...
【技术特征摘要】
JP 2001-7-12 212379/20011.含氟芳香族聚合物，其特征在于，采用选自下述①、②及③的方法中的1种以上的方法，由下述式1所示的支化结构的含氟芳香族化合物(B)制造，1分子中含有2个以上交联性官能团(A)，数均分子量为1×103～5×105，含有醚键，式1 其中，m及n分别独立地表示1～4的整数，p、q及r分别独立地表示0或1～5的整数，a、b及c分别独立地表示0或1～3的整数，2≤m+n≤5，①使上述式1所示的支化结构的含氟芳香族化合物(B)和含有交联性官能团(A)及酚性羟基的化合物(Y1)在脱HF剂存在下进行缩合反应的方法；②使上述含氟芳香族化合物(B)、含有交联性官能团(A)及酚性羟基的化合物(Y1)和不含有交联性官能团、含有2个以上酚性羟基的...
【专利技术属性】
技术研发人员：横冢俊亮，竹尾总明，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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