【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及在单个腔体内执行例如氧化、扩散和CVD(化学汽相淀积)这样的多种处理的半导体制造装置，以及使用该半导体制造装置等半导体器件制造方法。
技术介绍
在最近几年，用于在单个腔体内连续执行多种处理的技术已经被开发，其目的是缩短在一个半导体制造装置中的晶片处理时间。在这样一种装置中，对于在单个腔体内的多种处理需要与薄膜厚度和杂质扩散相关的精确控制。图7为示出根据现有技术的氧化膜和SiN膜的薄膜形成处理的连续处理流程的流程图。首先，根据技术经验，通过一些方式把氧化膜形成温度、氧化气体流速、氧化时间、SiN膜淀积温度、SiN膜淀积时间、在SiN膜形成中的气压、SiN膜薄膜形成气体流速等等信息输入到一个半导体制造装置(在这种情况中为一个氧化/CVD熔炉)的控制计算机，从而可以分别获得所需的薄膜厚度。接着，通过一些方式输入一个启动信号，以启动该处理。根据设置的次序执行把晶片装载到该装置上、加热、保温、提供气体、气体切换、冷却以及卸载晶片这样的处理。在该处理过程中，在该熔炉中的温度和气流流速被尽可能精确地保持在设置数值，并且氧化时间和淀积温度...
【技术保护点】
一种半导体制造装置，其特征在于包括： 处理装置主体，其在单个腔体内连续执行与半导体器件的制造相关的多个处理； 装置控制器单元，其选择要在该处理装置中执行的一种处理，并且把启动一个处理的启动信号和停止该处理的停止信号提供到该处理装置主体； 第一端子，其把该处理装置主体的内部信息输出到外部； 第二端子，其把该启动信号从该装置控制器部分输出到外部；以及 第三端子，其接收来自第二端子的启动信号，并且根据通过基于该装置的内部信息计算用于当前处理的处理状态所获得的结果而把该停止信号输入到该装置控制器单元， 其中在通过第三端子接收该停止信号之后，该装置...
【技术特征摘要】
JP 2001-10-11 313918/011.一种半导体制造装置，其特征在于包括处理装置主体，其在单个腔体内连续执行与半导体器件的制造相关的多个处理；装置控制器单元，其选择要在该处理装置中执行的一种处理，并且把启动一个处理的启动信号和停止该处理的停止信号提供到该处理装置主体；第一端子，其把该处理装置主体的内部信息输出到外部；第二端子，其把该启动信号从该装置控制器部分输出到外部；以及第三端子，其接收来自第二端子的启动信号，并且根据通过基于该装置的内部信息计算用于当前处理的处理状态所获得的结果而把该停止信号输入到该装置控制器单元，其中在通过第三端子接收该停止信号之后，该装置控制器单元把该停止信号发送到该处理装置主体，停止由该处理装置主体所进行的当前处理，并且切换到下一个处理。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于一个外部计算机连接到该装置控制器单元，该外部计算机具有根据通过第一端子的该装置的内部信息计算用于所述多个处理的处理状态的功能，根据通过第二端子的启动信号开始计算用于当前处理的处理状态，以及当用于当前处理的处理状态到达一个指定状态时把该停止信号发送到第三端子。3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于该外部计算机具有使用该装置的内部信息判断哪一个处理状态应当被计算的功能。4.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于该外部计算机接收该装置的外部信息以及该装置的内部信息，并且使用该信息计算处理状态。5.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于由外部计算机所接收的该装置的内部信息包括温度、气压和气体流速，由该外部计算机所接收的该装置的外部信息包括大气压力。6.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于该处理装置主体具有加热机构。7.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于该处理装置主体连续的执行氧化、CVD和扩散中的至少两种处理。8.一种半导体制造装置，其特征在于包括处理装置主体，其在单个腔体内连续执行与半导体器件的制造相关的多个处理；装置控制器单元，其选择要在该处理装置中执行的一种处理，并且把启动一个处理的启动信号和停止该处理的停止信号提供到该处理装置主体；以及一个处理控制单元，其具有根据该处理装置主体的内部信息对所述多个处理计算处理状态的功能，当该启动信号被从该装置控制器单元发送时，开始对当前处理的处理状态的计算，并且当该处理状态到达一个指定状态...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐喜和郎，牛久幸広，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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