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一种在多处理装置（１０）中连续执行氧化和ＣＶＤ的半导体制造装置包括：内部装置控制器单元（２０），其选择处理的类型，并且把用于一个处理的启动信号和停止信号提供到该多处理装置（１０）；以及处理控制器（３０），其根据该装置的内部信息计算用于每个处...
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