在基体材料上构造氧化层的方法技术

本发明专利技术涉及一种在基体材料上构造氧化层结构的方法。本发明专利技术的目的是提供一种经济的构造氧化层的方法。为此，根据丝网印刷方法将含有氧化物腐蚀成分的印网丝膏通过印刷模板印制在氧化层上，然后在一段预定的作用时间之后之后将印膏去除。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。在基体材料上构造氧化层结构的问题例如出现在太阳能电池的生产过程中。晶体硅太阳能电池一般包括一个P传导基质，而在正面是对应N传导基质的均匀厚度层，例如磷。在晶片的正面和反面上为了传导在光照下产生的电流而设置了金属的导电接触层。考虑到节约成本以及适合大批量生产的需要，接触层通常运用丝网印刷技术形成。N掺杂度必须使两个相互对立的边界条件协调一致。对于正面接触的丝网印刷技术的应用来说，足够高的N掺杂是很重要的。如果硅掺杂度太低，那么硅与接触层之间的结电阻过高。这将使得太阳能电池的串联电阻升高，而导致太阳能电池的亮度特征曲线的占空系数降低。在另外一面过高的N掺杂导致太阳能电池蓝光灵敏度降低，从而使载流子过早地复合并引起效率的降低。为了使两个相互对立的边界条件协调一致，对N掺杂建议用所谓的选择性发射级结构。这里只有很少的表面部分在正面接触层下面提供很高的N掺杂度而在其它部分为了保证很高的蓝光灵敏度而提供了很低的N掺杂度。为了使选择性发射级结构在如上所述的晶体硅太阳能电池中集成，例如通过所构造的氧化层可以实现屏蔽。当然这个氧化层必须要符合生产要求。众所周知，氧化层是根据摄本文档来自技高网...

【技术保护点】
在基体材料上构造氧化层结构的方法，其中按照丝网印刷的方法将包含氧化物腐蚀成份的丝网印膏通过印刷模板印制在氧化层上，并且其中已经印制的丝网印膏在一段预定的作用时间之后又被去除。

【技术特征摘要】
DE 2001-2-2 10104726.61.在基体材料上构造氧化层结构的方法，其中按照丝网印刷的方法将包含氧化物腐蚀成份的丝网印膏通过印刷模板印制在氧化层上，并且其中已经印制的丝网印膏在一段预定的作用时间之后又被去除。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化物腐蚀成份包括氢氟酸(HF)和/或氟化铵(NH4F)和/或者二氟氢铵(NH4HF2)。3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其特征在于，氧化物腐蚀成份在丝网印膏中占有10-20的体积百分比。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，作用时间介于30秒和2分钟之间。5.在光照面具有选择性发射极层的太阳能电池的生产方法，包括如下步骤-在P掺杂的晶片上形成氧化层，-根据权利要求1至4中任一项的方法构造氧化层，-将有选择性的高度N掺杂到已经构造的区域中，-去除氧化层，-在选择性高度N掺杂之上的整个表面内渗入微弱的N掺杂，以及-根据丝网印刷方法在选择性度高N掺杂区域内进行光照面接触。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，N掺杂通过磷掺杂来进行。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在磷掺杂过程中产生的磷玻璃(POCl3)在后续的腐蚀步骤中去除。8.根据权利要求5至7中任一项所述的方法，其特征在于，正面与丝网印膏接触。9.在光照面具有选择性发射极层并且在反面具有反面场的太阳能电池的生产方法，包括如下步骤-将包含有作为掺杂材料的硼的扩散源层涂覆到硅晶片的反面，-在含氧的空气环境中并在900至1200℃的温度下处理片，以产生氧化层和渗入掺杂材料，-利用根据权利要求1至4中任一项的方法构造氧化层，-在已构造的区域内进行有选择性的高度N掺杂，-去除扩散源层以及氧化层，-在整个表面上进行微弱的N掺杂，-分离晶片边缘的N掺杂，-根据丝网印刷方法在选择性高度N掺杂区域内进行光照面接触，以及-在反面形成反面接触层。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，涂覆硼掺杂漆或者硼掺杂膏作为扩散源层。11.根据权利要求9至10中任一项所述的方法，其特征在于，扩散源层和氧化层通过HF溶液的腐蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿道夫穆泽，瑞恩霍德斯克罗瑟，
申请(专利权)人：壳牌阳光有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]