【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种清洗电子元件构件如半导体基片、玻璃基片、电子零件和用于制造这些零件的设备的部件或类似零件的方法。
技术介绍
在加工诸如LSI(大规模集成电路)芯片或类似元件的过程中，要求芯片具有非常清洁的表面。例如在加工LSI芯片时，要在硅晶片的表面上生成SiO2类材料的绝缘膜，然后根据预定的图形在绝缘膜上做出保护层。将未被保护层覆盖的绝缘膜腐蚀掉，使处于所述绝缘膜之下的金属硅暴露出来，再将金属硅的表面清洗干净。然后根据需要引入P-型或N-型元素，形成嵌入的金属连线，例如Al连线(平版印刷工艺)。重复上述的步骤可制成LSI芯片。引入P-型或N-型元素时，或在芯片上形成嵌入的金属连线过程中，暴露的硅表面上所粘附的杂质会造成金属连线与金属硅之间的不良电气连接，增大接触电阻从而导致芯片的性能降低，这些杂质可以是颗粒的杂物，金属，有机物，和自然形成的氧化膜。因而在加工LSI芯片时，硅晶片表面的清洁步骤对于生产高性能的芯片是非常重要的，要尽可能去除硅表面上粘附的杂质。一般来说，对硅晶片表面的清洁是由溶液清洗和高纯水清洗结合进行，以去除硅晶片表面粘附的有机物，颗粒，金属或...
【技术保护点】
一种清洗电子元件或其制造设备的元件的方法，包括分别制备高纯水和臭氧，将臭氧注入并溶解在高纯水中形成氧化－还原电位为正值的碱性清洗溶液，以及利用碱性清洗溶液对电子元件或其制造设备的元件进行清洗。
【技术特征摘要】
JP 1996-8-20 237294/1996;JP 1996-10-29 303626/19961.一种清洗电子元件或其制造设备的元件的方法，包括分别制备高纯水和臭氧，将臭氧注入并溶解在高纯水中形成氧化-还原电位为正值的碱性清洗溶液，以及利用碱性清洗溶液对电子元件或其制造设备的元件进行清洗。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液含有溶解浓度为0.05ppm或大于0.05ppm的臭氧。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液的pH值为7或大于7但小于11。4.如权利要求1-3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述清洗溶液使用的是经除气处理的含溶解氧浓度小于2ppm的高纯水。5.如权利要求1-3中任意一项所述的方法，其特征在于，在利用所述清洗溶液清洗所述电子元件或其制造设备的元件的同时施用了超声波。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，超声波的频率为30kHz或更高。7.如权利要求1-3中任意...
【专利技术属性】
技术研发人员：今冈孝之，山下幸福，
申请(专利权)人：奥加诺株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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