【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供一种测量金属氧化半导体晶体管(metal-oxidesemiconductor transistor，MOS transistor)的栅极通道长度的方法，尤指一种通过测量一已知栅极通道长度的金属氧化半导体晶体管的反转栅极漏电流(inverse gate leakage)并利用一预定关系式，进而计算出一未知栅极通道长度的金属氧化半导体晶体管的栅极通道长度的方法。
技术介绍
随着超大型积体电路(very large scale integration，VLSI)的发展，耗电量较少且适合高积集度(integration)的金属氧化半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶体管，已广泛地被应用在半导体制程中。标准的MOS晶体管包含有一个栅极(gate)，以及两个位于电容器两侧且电性与硅基底相反的半导体区，称为源极(source)与漏极(drain)，而栅极主要结构则由一栅极氧化层(gateoxide)以及一栅极导电层所组成。在栅极加入适当偏压的情形下，MOS晶体管可以视为电路中一种固态的开关(switch)，用来控制电流的导通...
【技术保护点】
一种测量一硅基底表面的一金属氧化半导体晶体管的栅极通道长度的方法，其特征是：该方法包含有下列步骤：于该硅基底表面的一第一区域上形成一第一金属氧化半导体晶体管，且该第一金属氧化半导体晶体管具有一第一栅极；于该硅基底表面的一第二 区域上形成一第二金属氧化半导体晶体管，且该第二金属氧化半导体晶体管具有一第二栅极；于该第一栅极以及该第二栅极上分别施加一预定电压；测量该第一金属氧化半导体晶体管的一第一反转栅极漏电流与该第二金属氧化半导体晶体管的一第二反转栅 极漏电流；以及利用该第一反转栅极漏电流、该第二反转栅极漏电流、该第一...
【技术特征摘要】
1.一种测量一硅基底表面的一金属氧化半导体晶体管的栅极通道长度的方法，其特征是该方法包含有下列步骤于该硅基底表面的一第一区域上形成一第一金属氧化半导体晶体管，且该第一金属氧化半导体晶体管具有一第一栅极；于该硅基底表面的一第二区域上形成一第二金属氧化半导体晶体管，且该第二金属氧化半导体晶体管具有一第二栅极；于该第一栅极以及该第二栅极上分别施加一预定电压；测量该第一金属氧化半导体晶体管的一第一反转栅极漏电流与该第二金属氧化半导体晶体管的一第二反转栅极漏电流；以及利用该第一反转栅极漏电流、该第二反转栅极漏电流、该第一栅极的通道宽度、该第二栅极的通道宽度、该第一栅极的通道长度以及一预定关系式，计算出该第二栅极的通道长度。2.如权利要求1所述的方法，其特征是该第一栅极以及该第二栅极均另各包含有一第一栅极氧化层以及一第二栅极氧化层，且该第一栅极氧化层与第二栅极氧化层的厚度相同。3.如权利要求2所述的方法，其特征是该第一栅极氧化层与第二栅极氧化层的厚度均小于20埃。4.如权利要求1所述的方法，其特征是该第一金属氧化半导体晶体管以及该第二金属氧化半导体晶体管皆为P型的金属氧化半导体晶体管。5.如权利要求4所述的方法，其特征是该预定电压为一小于-2伏特的负压。6.如权利要求1所述的方法，其特征是该第一金属氧化半导体晶体管以及该第二金属氧化半导体晶体管皆为N型的金属氧化半导体晶体管。7.如权利要求6所述的方法，其特征是该预定电压为一大于2伏特的正压。8.如权利要求1所述的方法，其特征是该预定关系式为该第一反转栅极漏电流÷(该第一栅极的通道宽度×该第一栅极的通道长度)＝该第二反转栅极漏电流÷(该第二栅极的通道宽度×该第二栅极的通道长度)。9.如权利要求1所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄正同，林胜豪，李年中，盛义忠，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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