【技术实现步骤摘要】
【专利说明】半导体装置本申请是申请日为2011年10月21日、专利技术名称为“半导体装置和半导体装置制造方法”的申请号为201110322857.1专利申请的分案申请。相关申请的交叉参考本申请包含与2010年10月29日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2010-243251所公开的内容相关的主题，因此将该日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。
本专利技术涉及一种使用金属栅极电极的半导体装置以及这种。
技术介绍
在相关技术中，根据摩尔定律(Moore’slaw)，半导体装置的集成度每18至24个月就会增加一倍。然而，在90nm节点附近的栅极隧道漏电流(gate tunnel leakage current)是不能被忽视的，因此已经几乎完全停止了对MOSFET的栅极氧化物膜的薄化。另外，由于难以控制短沟道效应(short channel effect)，所以栅极长度的缩减进展缓慢。因此，难以提高MOSFET自身的性能，在90nm节点上或90nm节点之后已经利用诸如双应力衬里(Dual Stress Liner;DSL)或埋置的SiGe等机械应力来实...
【技术保护点】
一种半导体装置，其包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，其中，第一导电型和第二导电型彼此不同，所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管每一者均包括：(ⅰ)包括多个金属层的金属栅极电极，以及(ⅱ)所述金属栅极电极的侧壁间隔部，所述第一导电型晶体管的所述金属栅极电极的侧壁与所述第一导电型晶体管的所述金属栅极电极的相对应的所述侧壁间隔部之间的距离大于所述第二导电型晶体管的所述金属栅极电极的侧壁与所述第二导电型晶体管的所述金属栅极电极的相对应的所述侧壁间隔部之间的距离，并且所述第一导电型晶体管的所述金属栅极电极的栅极长度与所述第二导电型晶体管的所述金属栅极电极的栅极长度不同。
【技术特征摘要】
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