【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及场效应晶体管。
技术介绍
场效应晶体管被使用于许多今日的电路中。场效应晶体管系，例如，使用作为电路的晶体或者作为位线绝缘晶体管以隔绝位线，等等。由于电路增加的需求其中场效应晶体管被使用，一方面高开关速度以及另一方面在一芯片或晶圆上一小面积消耗被要求于场效应晶体管。同时，场效应晶体管必须具有最大可能的电流效率，即最大可能的源-漏电流每布局面积具有一预先决定的栅极电压。一晶体管其系尽可能宽，其电流效率决定可获得的开关速度，在先前技艺中已经被使用于此。不同地提出，一已知的晶体管具有由电路布局所定义的信道区的一宽度用以获得一电流效率。根据已知的公式R＝ρ1/A，一低电阻且因此一高电流效率通过选择一大宽度代入上面公式面积A而被获得。一信道区的宽度可被当成如一尺寸平行于衬底形成且垂直源区以及极区之间的一连接线在边缘或沟道区的极限之间。一般上，沟道区的宽度系因此垂直于源-漏电流方向。图1显示一已知驱动晶体管，其中一半导体衬底区100被形成超过一大面积以一举行的形式。一源端电极102，一漏端电极104以及一栅端电极106系配置于半导体衬底区100之上，其中栅端电...
【技术保护点】
一种场效应晶体管（４００；５００ａ；７００ａ；８００ａ）包含：一半导体衬底（４０２；５０２ａ；７０２ａ，７０２ｂ；８０２ａ）；一源区（４１４；５１４ａ；７０６ａ，７０６ｂ）形成于该半导体衬底（４０２；５０２ａ；７０２ａ，７０ ２ｂ；８０２ａ）中；一漏区（４１６；５１６ａ；７０８ａ，７０８ｂ）形成于该半导体衬底（４０２；５０２ａ；７０２ａ，７０２ｂ；８０２ａ）中；一沟道区（４２２ａ，４２２ｂ；５１８ａ，５１８ｂ）形成于该半导体衬底（４０２；５０２ａ ；７０２ａ，７０２ｂ；８０２ａ）中，其中该源区被连接到一源端电极（４...
【技术特征摘要】
DE 2003-4-24 10318604.21.一种场效应晶体管(400；500a；700a；800a)包含一半导体衬底(402；502a；702a，702b；802a)；一源区(414；514a；706a，706b)形成于该半导体衬底(402；502a；702a，702b；802a)中；一漏区(416；516a；708a，708b)形成于该半导体衬底(402；502a；702a，702b；802a)中；一沟道区(422a，422b；518a，518b)形成于该半导体衬底(402；502a；702a，702b；802a)中，其中该源区被连接到一源端电极(404；506a；804a)且该漏区被连接到一漏端电极(406；508a；806a)，其中该信道区包含一第一窄宽度沟道区(422a；581a)以及一第二窄宽度沟道区(422b；518b)平行于该源端电极以及该漏端电极被连接，以及其中该第一窄宽度沟道区(422a；518a)及/或该第二窄宽度沟道区(422b；518b)具有横向边缘使该窄宽度信道区中的一信道形成被该横向边缘的一彼此影响的效应所影响的方式使该窄宽度沟道区的宽度变窄；以及一栅极(408；510)配置于该第一以及第二窄宽度沟道区的上。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中该第一窄宽度沟道区(422a；518a)以及该第二窄宽度沟道区(422b；518b)通过一绝缘区(420；512a；604)来分隔。3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中该第一窄宽度沟道区(422a；518a)以及该第二窄宽度沟道区(422b；518b)以彼此平行的方式配置。4.根据权利要求1至3其中一项所述的场效应晶体管，其中该窄宽度沟道区(422a，422b；518a，518b)彼此连接于该源区(414；506a；706a，706b)以及该漏区(416；516a；708a，708b)之间的区域。5.根据权利要求1至3其中一项所述的场效应晶体管，其中该半导体衬底包含一第一以及一第二半导体衬底区(702a，702b)，通过一绝缘区彼此分隔，其中该第一半导体衬底区(702a)包含该第一窄宽度沟道区(704a)以及该第二半导体衬底区(702b)包含该第二窄宽度沟道区(704b)。6.根据权利要求1至5其中一项所述的场效应晶体管，其中复数半导体衬底区(402；502a-c；602a-f；702a，702b；802a-c)被提供。7.根据权利要求1至6其中一项所述的场效应晶体管，其中该场效应晶体管是一驱动晶体管或一位线绝缘晶体管。8.根据前述权利要求其中一项所述的场效应晶体管(400；500a；700a；800a)，其中该窄宽度沟道区包含一宽度垂直于流经其的电流流动方向为少于100...
【专利技术属性】
技术研发人员：G恩德斯，B菲斯彻，H施内德，P沃伊特，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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