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一场效应晶体管（４００）包括一半导体衬底（４０２），一源区（４１４）形成于半导体衬底（４０２）中，一漏区（４１６）形成于半导体衬底（４０２）中，一沟道区（４２２ａ，４２２ｂ）形成于半导体衬底（４０２）中，其中源区被连接到一源端电极（４０４）...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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