半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供的半导体器件包括，有绝缘表面的基片以及半导体膜，它包括绝缘表面上形成的结晶硅，半导体膜中含有促进结晶的金属，其浓度不大于１原子％。该半导体器件的制法包括：在基片的一绝缘表面上形成含非晶态硅的半导体膜；选择地形成含一种金属的层，它与半导体膜的第一部分接触；对它们进行加热，使半导体膜由第一部分至第二部分结晶，金属则通过半导体膜扩散。将半导体膜的至少第一和第二部分隔离开。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜器件，诸如薄膜绝缘栅场效应晶体三级管(以下简称之为“薄膜晶体管”或“TFT”)等半导体器件，及其制造方法。
技术介绍
用于诸如TFT等薄膜器件中的结晶硅半导体的薄膜在此之前所知是用下法制造的使用了电炉之类设备其温度保持不低于600℃，经12小时或更长，使通过等离子体CVD(化学汽相沉积)或热CVD形成非晶硅薄膜结晶化。具有足够高品质(例如优异的场效应迁移率及高可靠性)的结晶体硅半导体的薄膜只有在使非晶薄膜经受更长的时间的热处理后才能获得。然而，这些为获得结晶硅半导体薄膜的现有技术中的方法有许多问题尚待解决。问题之一是低生产率，使生产成本增加。例如，结晶化的步骤需要24小时，设一个基片的处理时间最好在2分钟以内，那么一次必需处理720个基片。然而，在普通的管式炉中一次可以处理的最大基片数限于50；在实际处理时只用一台设备(反应管)则可知一个基片要用30分钟来完成处理。换言之，若要每块基片在2分钟内完成反应，则必需有至少15个反应管。这表明，这种方法提高了投资费用，因此增加了生产成本，因为投资折旧费太大。热处理温度是另一个要考虑的问题。一般说，一个TFT的制造使用了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，它包括工序：　　　　在基片的绝缘表面上形成含有非晶态硅的半导体膜；　　　　提供一种与所述半导体膜接触的金属；　　　　对所述半导体膜加热，以形成结晶的半导体膜；　　　　将结晶的半导体膜制成图形，以形成结晶的半导体岛，从而除去结晶的末端，以及　　　　用所述结晶的半导体岛作为活性层，形成半导体器件，　　　　其中在加热工序中，与所述金属邻接的该半导体膜的第一部分与所述金属反应，成为第一硅化物，然后与所述第一硅化物邻接的该半导体膜的第二部分与所述第一硅化物反应，成为第二硅化物。

【技术特征摘要】
JP 1993-2-15 48532/931.一种半导体器件的制造方法，它包括工序在基片的绝缘表面上形成含有非晶态硅的半导体膜；提供一种与所述半导体膜接触的金属；对所述半导体膜加热，以形成结晶的半导体膜；将结晶的半导体膜制成图形，以形成结晶的半导体岛，从而除去结晶的末端，以及用所述结晶的半导体岛作为活性层，形成半导体器件，其中在加热工序中，与所述金属邻接的该半导体膜的第一部分与所述金属反应，成为第一硅化物，然后与所述第一硅化物邻接的该半导体膜的第二部分与所述第一硅化物反应，成为第二硅化物。2.一种半导体器件的制造方法，它包括工序在基片的绝缘表面上提供一种金属；形成与所述金属接触的含有非晶态硅的半导体膜；对所述半导体膜加热，以形成结晶的半导体膜；将结晶的半导体膜制成图形，以形成结晶的半导体岛，从而除去结晶的末端，以及用所述结晶的半导体岛作为活性层，形成半导体器件，其中在加热工序中，与所述金属邻接的该半导体膜的第一部分与所述金属反应，成为第一硅化物，然后与所述第一硅化物邻接的该半导体膜的第二部分与所述第一硅化物反应，成为第二硅化物。3.一种半导体器件的制造方法，它包括工序在基片的绝缘表面上形成含有非晶态硅的半导体膜；选择性地...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏勇，鱼地秀贵，高山彻，山崎舜平，竹村保彦，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]