钽酸锂基片及其制备方法技术

在钽酸锂基片中，防止了在基片的表面电荷的累积而产生的火花，从而防止对ＬＴ基片表面形成的梳型结构的破坏和ＬＴ基片内的裂纹等。此外，在光刻方法中，避免进入ＬＴ基片的光线从ＬＴ基片的后表面反射回前表面，防止对梳型结构分辨率破坏。在从ＬＴ晶体制备ＬＴ基片的制备过程中，在晶体生长后，将坯料形式的ＬＴ基片包埋在碳粉末中，或置于碳容器中，然后维持６５０℃至１６５０℃的温度至少４小时进行热处理。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于表面声波元件及其它类似物的钽酸锂(LT)基片及其制备方法。
技术介绍
钽酸锂晶体是一种具有压电特性的铁电物质，其熔点约为1650℃，居里点约为600℃。由钽酸锂晶体制备的钽酸锂基片主要用作表面声波(SAW)滤波器的材料，在移动电话中，该材料能够完成信号噪音排斥(signal noise rejection)。诸如移动电话的高频的使用、以及用于多种电子设备的无线LAN的蓝牙(2.45GHz)扩增等因素意味着从现在开始对2GHz和2GHz附近频域的SAW滤波器具有快速增长的需求。SAW滤波器的构造中，在由压电材料制成的基片上如LT基片形成一对由金属薄膜制备的梳型电极，其中该金属薄膜是由AlCu合金或者类似材料制成的。这些梳型电极具有控制设备极性的重要功能。梳型电极采用下述方法生成采用喷镀法在压电材料上沉积一层金属薄膜，然后利用光刻技术蚀刻去掉无用的部分留下一对梳型结构，形成了梳型电极。为了与更高频率兼容，该梳型结构需要纤细，并且很薄。与目前的主流--在800MHz和800MHz附近频域使用的设备相比，在2GHz和2GHz附近频域使用的设备要求其电极之间的宽度距离约为本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有热处理的受热历程的钽酸锂基片，其中坯料形式的钽酸锂维持在６５０℃至１６５０℃的温度，并在碳粉末中包埋，或置于碳容器中。

【技术特征摘要】
JP 2003-4-8 2003-104176;JP 2003-12-26 2003-432472;1.具有热处理的受热历程的钽酸锂基片，其中坯料形式的钽酸锂维持在650℃至1650℃的温度，并在碳粉末中包埋，或置于碳容器中。2.具有热处理的受热历程的钽酸锂基片，其中坯料形式的钽酸锂维持在650℃至1400℃的温度，并在Si粉末中包埋，或置于Si容器中。3.具有热处理的受热历程的钽酸锂基片，其中晶片形式的钽酸锂维持在350℃至600℃的温度，并在选自Ca、Al、Ti和Si的金属粉末中包埋。4.具有热处理的受热历程的钽酸锂基片，其中晶片形式的钽酸锂维持在350℃或更高但低于Zn的熔点的温度，并在Zn粉末中包埋。5.权利要求1至4之一所述的钽酸锂基片，其中所述的热处理持续4小时或更长。6.通过权利要求1-5之一所述的热处理变黑的钽酸锂基片。7.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶谷富男，角田隆，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]