SiC半导体装置用衬底、SiC接合衬底、SiC多晶衬底以及SiC多晶衬底的制造方法制造方法及图纸

提供一种SiC半导体装置用衬底、SiC接合衬底、SiC多晶衬底以及SiC多晶衬底的制造方法，在将SiC多晶衬底与SiC单晶衬底接合而成的结构的SiC半导体装置用衬底中，能够将背面磨削加工后的衬底的翘曲量抑制在1.0mm以下。一种SiC半导体装置用衬底，其是由SiC多晶构成的支承衬底、与所述支承衬底的表面接合的SiC单晶衬底、形成于所述SiC单晶衬底的表面的SiC单晶外延层、以及形成于所述SiC单晶外延层上的半导体元件的构成要素依次层叠而成的SiC半导体装置用衬底，其中，所述支承衬底的未与所述SiC单晶衬底接合的面为磨削面，所述磨削面的翘曲量为1.0mm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及碳化硅（以下，有时称为“sic”）多晶衬底及其制造方法、以及在sic多晶衬底上接合sic单晶衬底而得到的sic接合衬底、以及在sic接合衬底上形成有sic单晶外延层和半导体电路的sic半导体装置用衬底。

技术介绍

1、sic是具有2.2~3.3ev的宽禁带宽度的宽带隙半导体，从其优异的物理、化学特性出发，作为耐环境性半导体材料进行了研究开发。近年来，sic作为面向高耐压高输出电子器件、高频电子器件等功率器件、从蓝色到紫外的短波长光器件的材料而受到关注，研究开发正在活跃化。然而，sic难以制造优质的大口径单晶，迄今为止妨碍了sic器件的实用化。

2、为了解决该问题，开发了使用sic单晶衬底作为晶种进行升华再晶体的改良型的莱利法（lely法）。如果使用该改良莱利法，则能够在对sic单晶的多晶型（4h-sic、6h-sic、15r-sic等）、载流子型以及杂质浓度进行控制的同时，使sic单晶生长。通过该技术，晶体缺陷密度大幅减小，肖特基势垒二极管（sbd）、场效应晶体管（mosfet）在该衬底上的实用化不断推进。p>

3、然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC半导体装置用衬底，其是由SiC多晶构成的支承衬底、与所述支承衬底的表面接合的SiC单晶衬底、形成于所述SiC单晶衬底的表面的SiC单晶外延层、以及形成于所述SiC单晶外延层上的半导体元件的构成要素依次层叠而成的SiC半导体装置用衬底，其中，

2.一种SiC接合衬底，其是由SiC多晶构成的支承衬底和与所述支承衬底的表面接合的SiC单晶衬底层叠而成的SiC接合衬底，其中，

3.一种SiC接合衬底，其是由SiC多晶构成的支承衬底和与所述支承衬底的表面接合的SiC单晶衬底层叠而成的SiC接合衬底，其中，

4.一种SiC多晶衬底，其是在由SiC多晶...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种sic半导体装置用衬底，其是由sic多晶构成的支承衬底、与所述支承衬底的表面接合的sic单晶衬底、形成于所述sic单晶衬底的表面的sic单晶外延层、以及形成于所述sic单晶外延层上的半导体元件的构成要素依次层叠而成的sic半导体装置用衬底，其中，

2.一种sic接合衬底，其是由sic多晶构成的支承衬底和与所述支承衬底的表面接合的sic单晶衬底层叠而成的sic接合衬底，其中，

3.一种sic接合衬底，其是由sic多晶构成的支承衬底和与所述支承衬底的表面接合的sic单晶衬底层叠而成的sic接合衬底，其中，

4.一种sic多晶衬底，其是在由sic多晶构成的支承衬底和与所述支承衬底的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：田原大祐，青木克冬，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：