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提供一种SiC半导体装置用衬底、SiC接合衬底、SiC多晶衬底以及SiC多晶衬底的制造方法，在将SiC多晶衬底与SiC单晶衬底接合而成的结构的SiC半导体装置用衬底中，能够将背面磨削加工后的衬底的翘曲量抑制在1.0mm以下。一种SiC半导体...
该专利属于住友金属矿山株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友金属矿山株式会社授权不得商用。

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