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在钽酸锂基片中，防止了在基片的表面电荷的累积而产生的火花，从而防止对ＬＴ基片表面形成的梳型结构的破坏和ＬＴ基片内的裂纹等。此外，在光刻方法中，避免进入ＬＴ基片的光线从ＬＴ基片的后表面反射回前表面，防止对梳型结构分辨率破坏。在从ＬＴ晶体制备Ｌ...
该专利属于住友金属矿山株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友金属矿山株式会社授权不得商用。

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