一种新型P制造技术

本发明专利技术公开了一种P

【技术实现步骤摘要】
一种新型P+侧墙无结场效应晶体管
本专利技术涉及半导体集成电路用器件,主要是一种新型P+侧墙无结场效应晶体管。
技术介绍
随着器件的尺寸的减小，器件的泄露电流会逐渐增大，这造成了器件特性的大大退化。因此，找到方法降低小尺寸无结器件的泄露电流就成了重中之重。能够减小器件泄露电流的方法并不多见，其中比较常见的是增加栅极的控制能力。除了对于器件栅极的改造，我们希望可以通过对于器件侧墙的改造降低无结器件的泄露电流。侧墙通常使用SiO2等材料来隔离栅极与源漏区域的作用。我们希望侧墙可以发挥在器件截止时的更大作用。通过改造侧墙结构，可以提高器件的电学特性。主要希望可以降低亚阈值斜率，泄露电流，漏致势垒降低(DIBL)等特性。在近年来，有关无结器件侧墙结构的研究层出不穷，高K材料的侧墙相对于传统二氧化硅侧墙结构有很多独有的优势。高K介质相对于二氧化硅拥有较高的相对介电常数，因此可以使器件拥有更好的控制能力，高K材料侧墙可以有效调节器件的横向电场分布，尤其是调节器件关闭状态与开启状态。在器件处于关闭状态时，高K侧墙结构可以形成更长的沟道控制，而对于传统器件来说，沟道控制不如新型结构。通过高K侧墙的调节，器件的关闭电流与开启电流会有所提高。对于K值越高的介质材料，泄漏电流的降低越发的明显，二氧化铪表现出了优于氧化铝的特性。同时，对于器件的开启电流，高K侧墙结构与普通器件不无太大差异。因此侧墙结构的主要作用是用于降低器件的泄漏电流。这种控制泄露电流的能力主要体现在栅极通过侧墙控制位于侧墙以下的硅层结构，这种控制与栅极对于沟道的控制并无差异。但是，尽管使用高K材料，栅极对于这部分额外的沟道控制能力十分有限，当器件栅极不断缩小时，泄漏电流控制力仍旧不够。基于对于无结器件侧墙结构的了解与掌握，我们发现不论是高K材料侧墙，或是其他结构侧墙，对于无结器件的泄漏电流控制都十分有限，并不能够形成更大的控制能力。我们希望进一步改进无结器件侧墙结构，通过有别于传统方式的侧墙结构来达到控制沟道的目的，进而降低泄露电流。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足，提出了一种新型P+侧墙无结器件，来提高传统无结器件的关闭电流，同时提高无结器件的亚阈值斜率与DIBL特性。实现本专利技术目的技术方案：一种新型P+侧墙无结场效应晶体管，包括双栅极、源区、漏区、沟道区、栅介质层、P+侧墙以及隔离层；其中，所述双栅极位于沟道区上下位置，并保持上下对称，栅介质层位于双栅极沟道区之间，双栅极的一侧设有P+侧墙，P+侧墙为上下对称结构，双栅极与P+侧墙之间设有隔离层，P+侧墙与源区直接接触。所述的源区、漏区与沟道区的掺杂浓度是一致的，浓度为1×1019到1×1020cm-3。所述的侧墙结构是由P+型硅构成的，掺杂浓度为1×1019到1×1020cm-3。本专利技术利用PN结的空间电荷区对于器件沟道形成截止作用，降低短沟道无结器件的关闭电流。同时利用栅极的控制能力，在器件开启时能够降低这种抑制作用，保证不会降低器件开启电流。利用以上作用可以达到提高小尺寸器件开关电流比，亚阈值斜率以及DIBL特性的目的。附图说明图1是新型P+侧墙无结器件结构示意图。图2是新型P+侧墙无结器件与传统无结器件转移特性示意图。图3是新型P+侧墙无结器件与传统无结器件在不同栅极长度下DIBL与SS特性示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图对本专利技术进行具体阐述。如图1所示，一种新型P+侧墙无结场效应晶体管，包括双栅极1、源区2、漏区3、沟道区4、栅介质层5、P+侧墙6以及隔离层7；其中，所述双栅极1位于沟道区4上下位置，并保持上下对称，栅介质层5位于双栅极1沟道区4之间，双栅极1的一侧设有P+侧墙6，P+侧墙6为上下对称结构，双栅极1与P+侧墙6之间设有隔离层7，P+侧墙6与源区2直接接触。源区2、漏区3与沟道区4的掺杂浓度是一致的，浓度为1×1019到1×1020cm-3。如图2所示，是10纳米栅极长度下新型P+侧墙三栅纳米线无结器件P+(JL)与传统无结器件(JL)转移特性曲线比较示意图。沟道掺杂浓度均是选择5×1019cm-3，漏极电压为0.05V。我们可以清晰的看出新型无结器件拥有更小的泄露电流，当栅极电压为0V时，新型器件的漏极电流相比传统无结器件可以提高接近一个数量级的大小。而对于新型无结器件与传统器件的开启电流相差并不太大。从图中的转移特性可以读出新型P+侧墙三栅纳米线无结器件的亚阈值斜率可以达到72.2mV/dec，这一数值接近于理想值60mV/dec，相比于传统无结器件在10纳米栅极长度时的表现可以提高很多。新型无结器件的漏致势垒降低(DIBL)可以达到61mV，而开关电流比可以达到1.96×106。这样的一组数据可以变现出新型无结器件拥有十分优良的特性，开关电流比与亚阈值斜率都达到10栅极长度下的优良特性的标准。如图3所示，是在不同栅极长度(10纳米到25纳米)下新型P+侧墙三栅纳米线无结器件和传统无结器件的亚阈值斜率(SS)与漏致势垒降低(DIBL)特性示意图。沟道的掺杂浓度均是选择5×1019cm-3，同时漏极电压为0.05V。从图中我们可以清晰的看出不论在任何栅极长度下新型无结器件的亚阈值斜率与漏致势垒降低特性都要好于传统无结器件。新型无结器件在这两个特性方面的优势在栅极长度较长时(20纳米以上)表现的并不明显，而在栅极长度较小时(小于15纳米)较为明显。这一特点进一步的说明新型侧墙结构无结器件在应对小尺寸挑战时更具优势。这种优势主要是由于器件具有不同于传统器件的P+型侧墙，可以形成PN结截止作用。这一作用可以有效减小器件泄露电流，抑制器件的短沟道效应，在亚阈值斜率与漏致势垒降低特性上表现更为明显。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，凡依本专利技术权利要求范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利技术权利要求的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型P+侧墙无结场效应晶体管，其特征在于：包括双栅极(1)、源区(2)、漏区(3)、沟道区(4)、栅介质层(5)、P+侧墙(6)以及隔离层(7)；其中，所述双栅极(1)位于沟道区(4)上下位置，并保持上下对称，栅介质层(5)位于双栅极(1)沟道区(4)之间，双栅极(1)的一侧设有P+侧墙(6)，P+侧墙(6)为上下对称结构，双栅极(1)与P+侧墙(6)之间设有隔离层(7)，P+侧墙(6)与源区(2)直接接触。

【技术特征摘要】
1.一种新型P+侧墙无结场效应晶体管，其特征在于：包括双栅极(1)、源区(2)、漏区(3)、沟道区(4)、栅介质层(5)、P+侧墙(6)以及隔离层(7)；其中，所述双栅极(1)位于沟道区(4)上下位置，并保持上下对称，栅介质层(5)位于双栅极(1)沟道区(4)之间，双栅极(1)的一侧设有P+侧墙(6)，P+侧墙(6)为上下对称结构，双栅极(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，孙玲玲，唐琰，曹菲，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33