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一种测量金属氧化半导体晶体管的栅极通道长度的方法，首先于硅基底表面上形成二ＭＯＳ晶体管，该二晶体管分别具有第一及第二栅极；然后于第一以及第二栅极上分别施加一预定电压，接着测量该第一ＭＯＳ晶体管的一第一反转栅极漏电流与该第二ＭＯＳ晶体管的一第...
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