利用激光束和掩模制造抛光垫的方法技术

本发明专利技术公开了利用激光束和掩模在抛光垫上形成微孔，通孔和／或沟槽的方法。该方法包括以下步骤：确定要在抛光垫上形成的微孔，沟槽和／或通孔的图案；将确定的图案输入计算机数字控制器（ＣＮＣ）；选择具有与输入图案相适应微孔，沟槽和／或通孔图案的掩模；和在ＣＮＣ控制器基于输入图案的控制下，驱动辐射激光束的激光器以及进行三维移动和旋转同时支撑抛光垫的桌面，从激光器向桌面上的抛光垫辐射激光束，同时根据输入的图案移动桌面，在抛光垫上形成对应于确定图案的微孔，沟槽和／或通孔的图案。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于化学机械抛光过程的抛光垫，更具体地涉及利用激光束和掩模在抛光垫上形成微孔，通孔和/或沟槽的方法。
技术介绍
一般而言，化学机械抛光(CMP)是用于在半导体器件制造过程中获得整体平整度的一种高精度/镜面抛光方法。根据CMP，在抛光垫和待抛光晶片之间使用了一种浆料，对晶片表面进行化学蚀刻。利用这种抛光垫对晶片的蚀刻表面进行机械抛光。参见附图1，所示标号为1的一种典型CMP机器的示意图。附图2是使用CMP机器1进行CMP方法的示意图。该CMP方法包括化学蚀刻反应过程和机械抛光过程，使用CMP机器1中的抛光垫10进行。化学蚀刻反应是由浆料42进行的。就是说，浆料42用于和待抛光晶片30的表面进行化学反应，使化学蚀刻反应后，能很容易地进行机械抛光过程。在机械抛光过程中，旋转固定在平面20上的抛光垫10。由夹持环32固定着的晶片30一边振动一边旋转。利用浆料供料装置40供给抛光垫10含有磨粒的浆料。输送的浆料被引入到抛光垫10和晶片30之间。由于抛光垫10和晶片30之间旋转速度的相对差别，引入的磨粒与晶片30之间产生摩擦接触，而进行机械抛光。浆料42是含有粒度为纳米的晶磨粒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造抛光垫的方法，包括以下步骤：确定要在抛光垫上形成的微孔，沟槽和／或通孔的图案；将确定的图案输入计算机数字控制器（ＣＮＣ）；选择具有与输入图案相适应微孔，沟槽和／或通孔图案的掩模；和在ＣＮＣ控制器基于输 入图案的控制下，驱动辐射激光束的激光器以及进行三维移动和旋转同时支撑抛光垫的桌面，从激光器向桌面上的抛光垫辐射激光束，同时根据输入的图案移动桌面，在抛光垫上形成对应于确定图案的微孔，沟槽和／或通孔的图案。

【技术特征摘要】
KR 2001-8-2 2001/467951.一种制造抛光垫的方法，包括以下步骤确定要在抛光垫上形成的微孔，沟槽和/或通孔的图案；将确定的图案输入计算机数字控制器(CNC)；选择具有与输入图案相适应微孔，沟槽和/或通孔图案的掩模；和在CNC控制器基于输入图案的控制下，驱动辐射激光束的激光器以及进行三维移动和旋转同时支撑抛光垫的桌面，从激光器向桌面上的抛光垫辐射激光束，同时根据输入的图案移动桌面，在抛光垫上形成对应于确定图案的微孔，沟槽和/或通孔的图案。2.如权利要求1所述方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴仁河，权太庆，金载晰，
申请(专利权)人：株式会社SKC，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]