半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术关于一半导体装置，具有一基板（８），其加工表面（８’）具有一基板法线方向；至少一第一接触点（１２，１６，２２，２４，２６）以及一第二接触点（１４）配置在基板上，第二接触点（１４）之一接触点表面系比第一接触点（１２，１６，２２，２４，２６）之一接触点表面自该基板（８）在该基板法线方向有一较大的距离；以及至少一第一（３４）以及一第二（４０）图样化金属平面，在其每一中至少一导体，其可被连接到至少一接触点而被形成；第二金属平面（４０）系比第一金属平面（３４）自基板（８）在基板法线方向有一较大的距离，第二接触点（１４）系以电连接到位于其上在基板法线方向之第二金属平面（４０）之一导体而无第一金属平面（３４）之一导体被连接在其间，以及第一接触点（１２，１６，２２，２４，２６）系电连接到位于其上在基板法线方向之第一金属平面（３４）之一导体。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一半导体装置根据权利要求第1项以及第10项且关于一种方法根据权利要求第5项以及第12项用以制造一半导体装置。附图说明图16显示一传统半导体装置，其将被用以证明先前技艺的问题以其本专利技术系被影响。半导体装置包含一(垂直的)双极晶体管10，其，在一已知的方式中，具有一基极接触点12，一射极接触点14以及一集极接触点16。双极晶体管10可能为一npn晶体管或者一pnp晶体管，举例来说，其形成半导体装置之一无线频率电路的部分。此外，一CMOS电路，在最简单的例子中包含有一MOS晶体管20具有一源极接触点22，一闸极接触点24以及一汲极接触点26，可能被提供于相同的基板8之上(例如一硅晶圆)。此类型双极CMOS电路之一特征样式系为射极接触点(如已知的射极堆栈)14系被设计以明显地”较高”于全部的其它接触点在基板8之加工表面8’之上。射极接触点14之接触表面，远离基板8之加工表面8’，系自加工表面8’比其它接触点12，16，22，24以及26之接触表面在一较大的距离。射极接触点14之此相对大的高度起因于把必要的程序需求强加于一最佳化的双极晶体管。经由举例，一双极晶体管之射极本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体装置，具有－一基板（８），其加工表面（８’）具有一基板法线方向；－至少一第一接触点（１２，１６，２２，２４，２６）以及一第二接触点（１４）配置在该基板上，该第二接触点（１４）之一接触点表面系比该第一接触点（１２，１６， ２２，２４，２６）之一接触点表面自该基板（８）在该基板法线方向有一较大的距离；以及－至少一第一（３４）以及一第二（４０）图样化金属平面，在其每一中至少一导体，其可被连接到至少一该接触点，系被形成；该第二金属平面（４０）系比该 第一金属平面（３４）在自该基板（８）在该基板法线方向有一较大的距离，该第二接触点（１４）...

【技术特征摘要】
DE 2001-8-31 10142690.91.半导体装置，具有-一基板(8)，其加工表面(8’)具有一基板法线方向；-至少一第一接触点(12，16，22，24，26)以及一第二接触点(14)配置在该基板上，该第二接触点(14)之一接触点表面系比该第一接触点(12，16，22，24，26)之一接触点表面自该基板(8)在该基板法线方向有一较大的距离；以及-至少一第一(34)以及一第二(40)图样化金属平面，在其每一中至少一导体，其可被连接到至少一该接触点，系被形成；该第二金属平面(40)系比该第一金属平面(34)在自该基板(8)在该基板法线方向有一较大的距离，该第二接触点(14)系以电连接到，位于其上在该基板法线方向上该第二金属平面(40)之一导体而无该第一金属平面(34)之一导体被连接在其间，以及该第一接触点(12，16，22，24，26)系电连接到位于其上在该基板法线方向上该第一金属平面(34)之一导体。2.根据权利要求第1项所述之半导体装置，其中该第二接触点(14)系一双极晶体管(10)之一射极接触点，以及该第一接触点系一双极晶体管之基极接触点(12)或者一集极接触点(16)或者系一MOS晶体管(20)之源极接触点(22)，闸极接触点(24)或汲极接触点(26)。3.根据权利要求第1项或第2项所述之半导体装置，其中该第一接触点(12，16，22，24，26)系经由一接触洞(32)连接至该第一金属平面(34)之该导体，该接触洞在该基板法线方向延伸且系以一电传导的接触洞填充材料填满。4.根据前述权利要求其中之一项所述之半导体装置，其中该第二接触(14)系经由一接触洞(38)被连接至该第二金属平面(40)之该导体，该接触洞在该基板线方向延伸且系以一电传导性的接触洞填充材料填满，而无该第一金属平面(34)之一导体连接期间。5.制造一半导体装置的方法，包含下列步骤-提供一基板(8)，其加工表面(8’)具有一基板法线方向；-定义至少一第一接触点(12，16，22，24，26)以及一第二接触点(14)在该基板(8)上，该第二接触点(14)之一接触点表面相较于该第一接触点(12，16，22，24，26)之一接触点表面位于自该基板(8)之基板法线方向一较大的距离；-电连接该第一接触点(12，16，22，24，26)到位于其上在该基板法线方向之一第一图样化的金属平面(34)之一导体；以及-电连接该第二接触点(14)到位于其上在该基板法线方向之一第二图样化金属平面(40)之一导体而无该第一金属平面(34)之一导体被连接在其中；该第二金属平面(40)相较于该第一金属平面(34)自基板(8)在该基板法线方向之一较大距离。6.根据权利要求第5项所述之步骤，其中该第二接触点(14)系一双极晶体管(10)之一射极接触点，以及该第一接触点系一双极晶体管之一基极接触点(12)或者集极接触点(16)或者系一MOS晶体管(20)之一源极接触点(22)，闸极接触点(24)或汲极接触点(26)。7.根据权利要求第5项或第6项所述之方法，其中电连接该第一接触点(12，16，22，24，26)的步骤包含下列步骤-定义一接触洞(32)，其终止于该第一接触点(12，16，22，24，26)且在该基板法线方向延伸，于一绝缘层(30)；-以一电传导性的接触洞填充材料填充该接触洞(32)；以及-定义该第一金属平面(34)之该导体，其在该基板法线方向位于该第一接触点(12，16，22，24，26)之上，以此方式其系被电连接到该接触洞填充材料。8. 根据权利要求第5项至第7项之任一项所述之方法，其中电连接该第二接触点(14)的步骤包含下列步骤-定义一接触洞(38)，其终止于该第二接触点(14)且在该基板法线方向延伸，于一绝缘层(36)中；-以一电传导性接触洞填充材料填充该接触洞(38)；以及-定义该第二金属平面(40)之该导体，其位于在该基板法线方向之该第二接触点(14)之上，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：K戈尔勒，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]