载体制造技术

一种载体，以一各向异性的导电膜与一基板热压合，基板具有多个接垫。载体包括一底材及多条引脚，底材具有一底材表面，底材表面具有多个凹口图案。这些引脚设置于底材表面上，这些引脚的一端与这些凹口图案交错排列。这些引脚的这一端经由各向异性的导电膜与这些接垫电连接，且部分的该各向异性的导电膜于载体与基板热压合时分布于这些凹口图案中。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种载体，具体地讲，涉及一种具有交错排列的引脚及凹口图案的载体。
技术介绍
在一些现有的电子装置中，组件及主体电路间的连接是通过各向异性的导电膜(anisotropic conductive film，ACF)来进行，例如驱动芯片就是利用各向异性的导电膜与液晶显示面板电连接。其中，各向异性的导电膜是以非导电性的合成树脂及导电颗粒(particle)混合而成，而导电颗粒的中央部分为聚合物，且聚合物的外表包覆一层金属导体，如金、镍、锡等。各向异性的导电膜常被用于液晶显示器的制造工艺中，而驱动芯片与液晶显示面板的接合技术至少包括玻璃黏晶技术(chip on glass，COG)及薄膜黏晶接合技术(chip on film)。玻璃黏晶技术将驱动芯片通过各向异性的导电膜直接与液晶显示面板的玻璃基板接合，且薄膜黏晶技术先将驱动芯片接合至一载体上，再以此具有驱动芯片的载体通过各向异性的导电膜与玻璃基板接合。请参照图1A～1B，其所显示的是传统上以薄膜黏晶技术所完成的半导体结构的二剖面图。在图1A～1B中，半导体结构10包括一基板11、一载体12、一芯片16及一各向异性的导电膜18，基板11具有一基板表面11a，基板表面11a具有多个接垫13。载体12包括一聚酰亚胺(polyimide，PI)薄膜14及多条引脚15，聚酰亚胺薄膜14具有一薄膜表面14a，这些引脚15彼此相互隔开地设置于薄膜表面14a上。芯片16设置于薄膜表面14a上，如图1C所示，芯片16具有多个焊垫16a，这些焊垫16a通过多条连接线17与这些引脚15的一端电连接。各向异性的导电膜18黏接部分的基板表面11a及部分的薄膜表面14a，各向异性的导电膜18具有多个导电颗粒18a，部分的导电颗粒18a用以电连接这些引脚13的另一端及这些接垫13。一般在COF制造工艺上会面临到材料涨缩问题及接合强度问题，而材料涨缩问题主要是衍生出引脚15及接垫13的对位偏移，并造成因接触面积不够所引发的导通阻抗不足的问题，或者是因相邻的两引脚之间的间距(pitch)过小所形成的电路短路的问题。传统上为增加引脚15及接垫13之间的导通阻抗，往往将图1B的接垫13的宽度W1设计比引脚15的宽度W2还大，以解决因材料涨缩所引起的对位偏移的问题。然而，相邻两接垫13之间的间距亦随之降低。当载体12与基板11热压合时，各向异性的导电膜18因高温高压而软化，并沿着基板表面11a往外流动，如图1D所示。此时，部分的导电颗粒18a会贴近基板表面11a，且聚集在任意相邻的两接垫13之间。如此一来，将会增加二接垫13之间电连接的几率，且非常容易造成电路短路现象，又如图1B所示。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种载体。其凹口图案与引脚交错排列的设计可以防止各向异性的导电膜(anisotropic conductive film，ACF)的导电颗粒聚集在基板的接垫间，避免产生电路短路现象，且提高各向异性的导电膜对于载体及基板的黏着强度。根据本专利技术的目的，提供一种载体，其以一各向异性的导电膜与一基板热压合，基板具有多个接垫。载体包括一底材及多条引脚，底材具有一底材表面，底材表面具有多个凹口图案。这些引脚设置于底材表面上，这些引脚的一端与这些凹口图案交错排列。这些引脚的这一端经由各向异性的导电膜与这些接垫电连接，且部分的该各向异性的导电膜于载体与基板热压合时分布于这些凹口图案中。根据本专利技术的再一目的，提出一种半导体结构，包括一基板、一载体及一各向异性的导电膜。基板具有一基板表面，基板表面具有多个接垫。载体包括一底材及多条引脚，底材具有一底材表面，底材表面具有多个凹口图案。这些引脚设置于底材表面上，这些引脚的一端与这些凹口图案交错排列。各向异性的导电膜黏接部分的基板表面及部分的底材表面，用以电连接这些引脚的此端及这些接垫。当载体与基板热压合时，部分的各向异性的导电膜分布于这些凹口图案中。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并参考附图，作详细说明如下。图1A～1B所显示的是传统上以薄膜黏晶技术所完成的半导体结构的二剖面图。图1C所显示的是图1A的载体及芯片的缩小仰视图。图1D所显示的是图1B的导电颗粒流动于基板表面上的状态的缩小俯视图。图2所显示的是依照本专利技术的实施例1的载体的俯视图。图3所显示的是图2的载体通过各向异性的导电膜与基板热压合而形成一半导体结构的部分放大剖面图。图4所显示的是依照本专利技术的实施例2的载体的俯视图。附图标记说明10、20 半导体结构11、21 基板11a、21a基板表面12、22、42 载体13、23 接垫14 聚酰亚胺薄膜14a 薄膜表面15、25 引脚16、26 芯片16a 焊垫17 连接线18、28 各向异性的导电膜18a、28a导电颗粒24、44 底材24a、44a底材表面29 通孔49 贯穿孔 具体实施例方式实施例1请参照图2，其所显示的是依照本专利技术的实施例一的载体的俯视图。在图2中，载体22至少包括一底材24及多条引脚25。底材24具有一底材表面24a，底材表面24a具有多个凹口图案。其中，各凹口图案为一未贯穿底材24的沟槽或一贯穿底材24的通孔29。这些引脚25设置于底材表面24a上，这些引脚25与这些通孔29交错排列。此外，底材表面24a上更设置一芯片26，芯片26与这些引脚25的另一端电连接。如图3所示，当载体22以各向异性的导电膜(anisotropic conductive film，ACF)28与一基板21热压合而形成一半导体结构20时，各向异性的导电膜28黏接部分的基板21的基板表面21a及部分的底材表面24a。各向异性的导电膜28具有多个导电颗28a，部分的各向异性的导电膜28的导电颗粒28a用以电连接这些引脚25及基板表面21a上的多个接垫23，使得芯片26与基板21电接连。由于载体22具有通孔29，部分的各向异性的导电膜28于高温高压时将往通孔29流动，使得导电颗粒28a比较容易聚集于通孔29中。如此一来，可以防止导电颗粒28a聚集在基板表面21a上的任意相邻的两接垫23之间，降低二接垫23之间电连接的几率，且避免产生电路短路现象。此外，由于各向异性的导电膜28与载体22的表面接触面积将会增加，各向异性的导电膜28将载体22及基板21黏着的强度将会提高。实施例2请参照图4，其所显示的是依照本专利技术的实施例二的载体的俯视图。在图4中，本实施例的载体42与实施例一的载体22不同的处在于底材的结构及凹口图案的设计，其余相同的部分沿用相同的附图标记，不再赘述。在图4中，载体42具有一底材44，底材44具有一底材表面44a。底材表面44a具有多个与这些引脚25交错排列的凹口图案，各凹口图案为多个未贯穿底材44的凹槽或多个贯穿底材44的贯穿孔49。至于载体42以各向异性的导电膜与一基板热压合而形成一半导体结构的剖面结构如同图3所示，在此不再以图示表示。同样地，本实施例的贯穿孔49的设计，可以降低二接垫之间电连接的几率，避免产生电路短路现象，且提高载体及基板之间的黏着强度。然而，本领域中的普通技术人员可以明了本专利技术的技术并不局限在此，例如，底材为一聚酰亚胺(po本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种载体，以一各向异性的导电膜与一基板热压合，所述的基板具有多个接垫，所述的载体包括：一底材，具有一底材表面，所述的底材表面具有多个凹口图案；以及多条引脚，设置于所述的底材表面上，所述的引脚的一端与所述的凹口图案交错排列，所 述的引脚的所述端经由所述的各向异性的导电膜与所述的接垫电连接，且部分的所述的各向异性的导电膜于所述的载体与所述的基板热压合时分布于所述的凹口图案中。

【技术特征摘要】
1.一种载体，以一各向异性的导电膜与一基板热压合，所述的基板具有多个接垫，所述的载体包括一底材，具有一底材表面，所述的底材表面具有多个凹口图案；以及多条引脚，设置于所述的底材表面上，所述的引脚的一端与所述的凹口图案交错排列，所述的引脚的所述端经由所述的各向异性的导电膜与所述的接垫电连接，且部分的所述的各向异性的导电膜于所述的载体与所述的基板热压合时分布于所述的凹口图案中。2.如权利要求1所述的载体，其中所述的各凹口图案为一沟槽。3.如权利要求1所述的载体，其中所述的各凹口图案为多个凹槽。4.如权利要求1所述的载体，其中所述的各凹口图案为一通孔。5.如权利要求1所述的载体，其中所述的各凹口图案为多个贯穿孔。6.如权利要求1所述的载体，其中所述的底材为一聚酰亚胺薄膜。7.如权利要求1所述的载体，其中所述的引脚以一黏着层设置于所述的底材表面上。8.如权利要求1所述的载体，其中所述的基板为一玻璃基板。9.如权利要求1所述的载体，其中所述的接垫为多个金属接垫。10.如权利要求1所述的载体，其中所述的底材表面上设置有一芯片，该芯片与该些引脚的另一端电连接。11.一种半导体结构，包括一基板，具有一基板表面，所述的基板表面具有多个接垫；一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊右，陈慧昌，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]