隔离沟槽的侧壁掺杂方法技术

一种隔离沟槽的侧壁掺杂方法，包括：　　　　提供一衬底，该衬底具有多个沟槽；　　　　于该些沟槽中形成一阻挡层，该阻挡层的顶面低于该衬底的顶面；　　　　进行一侧壁掺杂工艺，以于该些沟槽侧壁顶部的该衬底中形成一掺杂区；以及　　　　去除该些沟槽中的该阻挡层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关一种隔离沟槽(isolation trench)的制造方法，且特别是有关一种隔离沟槽的侧壁(sidewall，简称SW)掺杂方法。
技术介绍
半导体的元件隔离区用隔离相邻的场效应晶体管间，藉以防止相邻的场效晶体管间产生漏电流。而现有的隔离沟槽的制造方法即为一种普遍的元件隔离方法，其先于衬底上形成垫氧化层(pad oxide)与研磨终止层，再利用各向异性(anisotropic)干式蚀刻，以于半导体衬底中蚀刻出沟槽。接着，再将绝缘材质填满沟槽，作为元件隔离结构。由于跨过隔离区与有源区(active area)角落的元件(corner device)会在有源区角落形成较大的电场，造成低于起始电压的漏电流(sub-thresholdleakage)。随着元件尺寸不断地缩小，晶体管沟道的距离也不断缩小的趋势下，上述低于起始电压漏电流的情况变得更为明显，因而造成所谓窄沟道宽度效应(narrow channel width effect)。为了解决前述问题，美国专利号US5,960,276即揭示于隔离沟槽进行一侧壁掺杂的工艺，请参考图1，其为一种的制造流程剖面示意图。请参照图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兆爵，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：