【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置,特别是涉及TAB(载带自动键合)方式的球栅阵列型半导体装置。
技术介绍
图1A是现有TAB带的平面图,图1B是沿图1A中的1B-1B线的剖面图,图1C是沿图1A中的1C-1C线的剖面图。如图1A~图1C所示,在聚酰亚胺带(绝缘性基材)1的表面上边,形成由铜(Cu)构成的Cu图形2。Cu图形2,例如可以采用用粘接剂把例如Cu箔粘接到聚酰亚胺带1上,以具有例如与Cu图形对应的图形的抗蚀剂层为掩模,刻蚀Cu箔的办法形成。在聚酰亚胺带1的表面上边,形成阻焊剂层3,该阻焊剂层3,至少除去金属丝键合部分2WB和球形焊盘2BP之外,把Cu图形2被覆起来。在聚酰亚胺带1的背面上边形成粘接剂层4。把保护带5粘贴到粘接剂层4上边。半导体芯片6装载到上述TAB带上边的同时,中间存在着粘接剂层4粘接到TAB带上。如图2A所示,该粘接,首先从装载装置的晶片·芯片托盘中拾取半导体芯片6,然后,把芯片6装载到压粘装置的下侧的模具22上边。其次,如图2B所示,在进行了已剥掉了保护带5的TAB带与芯片6之间的位置修正之后,使上侧模具23下降,把TAB带热压粘接到芯片6 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,具备:具有焊盘的半导体芯片;已粘接到上述半导体芯片上边的绝缘性基材;分别具有在上述绝缘性基材上边形成的,连接到上述半导体芯片的焊盘上的键合部分、连接到外部电极上的焊盘部分和把上述键合部分与上述焊盘部分 连接起来的布线部分的导电性图形;和至少除去上述键合部分和上述焊盘部分之外,把在上述绝缘性基材上边形成的上述导电性图形被覆起来的被覆层,其中,上述被覆层的边沿与上述键合部分之间的交角大于90度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:牛岛利弘,马场勋,住吉贵充,
申请(专利权)人:株式会社东芝,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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