载带自动键合式半导体装置制造方法及图纸

公开一种ＴＡＢ方式的ＢＧＡ型半导体装置。该半导体装置，具备：具有焊盘的半导体芯片；已粘接到上述半导体芯片上边的绝缘性基材；分别具有在上述绝缘性基材上边形成的，连接到上述半导体芯片的焊盘上的键合部分、连接到外部电极上的焊盘部分和把上述键合部分与上述焊盘部分连接起来的布线部分的导电性图形；和至少除去上述键合部分和上述焊盘部分之外，把在上述绝缘性基材上边形成的上述导电性图形被覆起来的被覆层，其中，上述被覆层的边沿与上述键合部分之间的交角大于９０度。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，特别是涉及TAB(载带自动键合)方式的球栅阵列型半导体装置。
技术介绍
图1A是现有TAB带的平面图，图1B是沿图1A中的1B-1B线的剖面图，图1C是沿图1A中的1C-1C线的剖面图。如图1A～图1C所示，在聚酰亚胺带(绝缘性基材)1的表面上边，形成由铜(Cu)构成的Cu图形2。Cu图形2，例如可以采用用粘接剂把例如Cu箔粘接到聚酰亚胺带1上，以具有例如与Cu图形对应的图形的抗蚀剂层为掩模，刻蚀Cu箔的办法形成。在聚酰亚胺带1的表面上边，形成阻焊剂层3，该阻焊剂层3，至少除去金属丝键合部分2WB和球形焊盘2BP之外，把Cu图形2被覆起来。在聚酰亚胺带1的背面上边形成粘接剂层4。把保护带5粘贴到粘接剂层4上边。半导体芯片6装载到上述TAB带上边的同时，中间存在着粘接剂层4粘接到TAB带上。如图2A所示，该粘接，首先从装载装置的晶片·芯片托盘中拾取半导体芯片6，然后，把芯片6装载到压粘装置的下侧的模具22上边。其次，如图2B所示，在进行了已剥掉了保护带5的TAB带与芯片6之间的位置修正之后，使上侧模具23下降，把TAB带热压粘接到芯片6上。借助于此，芯片6被粘接到TAB带上。但是，在现有的TAB带中，如图1B、图1C或图2B所示，在已形成了Cu图形2的面上，由于Cu图形的有无而形成有凹凸。凹部20是没有Cu图形2的部分，凸部21是有Cu图形2的部分。为此，在把芯片6热压粘接到TAB带上时，如图2C所示，压力将集中于凸部21上，对于凹部20则难于加上压力。该压力的分布差，将产生TAB带与芯片6之间贴紧力之差，会变成为日后剥落的原因。此外，在现有的TAB带中，如图3A、图3B所示，阻焊剂层3与金属丝键合部分2WB之间的交叉角度θ将形成不足90度的部分。为此，在向TAB带上边印刷阻焊剂时，特别是在金属丝键合部分2WB附近的Cu图形2中，在膏状的阻焊剂的阻焊剂流内将产生不均匀，气泡24易于卷入到阻焊剂层3内来。当在阻焊剂层3内或在阻焊剂层3与聚酰亚胺带1之间发生了气泡时，水分将从外部侵入气泡内，随着时间的流逝，Cu图形会不断地被腐蚀。
技术实现思路
本专利技术就是有鉴于上述的问题而专利技术的，其第1个目的在于，提供减小带与芯片之间的贴紧力之差，且具有稳定的贴紧性的半导体装置。此外，第2个目的在于，提供抑制气泡的发生，对于导电性图形的腐蚀具有高可靠性的半导体装置。为了实现上述第1个目的，在本专利技术的第1方案中，提供了一种半导体装置，具备具有焊盘的半导体芯片；已粘接到上述半导体芯片上边的绝缘性基材；在上述绝缘性基材上边形成，分别含有连接到上述半导体芯片的焊盘上的键合部分、连接到外部电极上的焊盘部分和把上述键合部分与上述焊盘部分连接起来的布线部分的导电性图形；和在上述绝缘性基材上的上述导电性图形之间以及形成有上述焊盘的焊盘区域外侧的周边区域中的至少一方上形成的电悬浮的岛状部分。倘采用具有上述构成的半导体装置，则可以采用在导电性图形上设置电悬浮的岛状部分的办法，来缓和因导电性图形的有无而产生的凹凸。为此，与现有技术比，可以缓和压力分布之差，减小带与芯片之间的贴紧力之差。因而，可以得到具有稳定的贴紧性的半导体装置。此外，为了实现上述第1个目的，在本专利技术的第2方案中，提供了一种半导体装置，具备具有焊盘的半导体芯片；已粘接到上述半导体芯片上边的绝缘性基材；和分别具有在上述绝缘性基材上边形成的，连接到上述半导体芯片的焊盘上的键合部分、连接到外部电极上的焊盘部分和把上述键合部分与上述焊盘部分连接起来的同时具有宽度不同的扩张部分的布线部分的导电性图形。倘采用具有上述构成的半导体装置，则可以采用在导电性图形的布线部分上设置宽度彼此不同的部分的办法。来缓和因导电性图形2的有无而产生的凹凸。为此，与实施方案1一样，与现有技术比可以缓和压力分布之差，减小带与芯片之间的贴紧力之差。因而，可以得到具有稳定的贴紧性的半导体装置。为了实现上述第2个目的，在本专利技术的第3方案中，提供了一种半导体装置，具备具有焊盘的半导体芯片；已粘接到上述半导体芯片上边的绝缘性基材；分别具有在上述绝缘性基材上边形成的，连接到上述半导体芯片的焊盘上的键合部分、连接到外部电极上的焊盘部分和把上述键合部分与上述焊盘部分连接起来的布线部分的导电性图形；和至少除去上述键合部分和上述焊盘部分之外，把在上述绝缘性基材上边形成的上述导电性图形被覆起来的被覆层，其中，上述被覆层的边沿与上述键合部分之间的交角大于90度。倘采用具有上述构成的半导体装置，采用使被覆层与端子部分之间的交叉角度变成为90度以上的办法，在形成被覆层之际，特别是在端子部分附近的导电性图形上边，被覆层就难于卷进气泡。为此可以得到气泡的发生受到抑制，对于导电性图形的腐蚀具有高可靠性的半导体装置。附图说明图1A是现有的TAB带的平面图。图1B是沿图1A中的1B-1B线的剖面图。图1C是沿图1A中的1C-1C线的剖面图。图2A、图2B和图2C的剖面图分别示出了热压粘接工序。图3A是现有的TAB带的平面图。图3B是沿图3A中的3B-3B线的剖面图。图4A是本专利技术的实施例1的半导体装置的平面图。图4B是沿图4A中的4B-4B线的剖面图。图4C的剖面图示出了装置完成后的情况。图5A、图5B、图5C和图5D的剖面图分别示出了本专利技术的半导体装置的制造方法。图6A的平面图示出了本专利技术的半导体装置所具备的TAB带的第1基本图形。图6B是沿图6A中的6B-6B线的剖面图。图6C是沿图6A中的6C-6C线的剖面图。图7A、图7B和图7C的剖面图分别示出了热压粘接工序。图8A、图8B、图8C和图8D的平面图分别示出了岛状部分的基本的图形。图9A的平面图示出了本专利技术的半导体装置所具备的TAB带的第2基本图形。图9B是沿图9A中的9B-9B线的剖面图。图9C是沿图9A中的9C-9C线的剖面图。图10A、图10B和图10C的剖面图分别示出了热压粘接工序。图11A、图11B、图11C和图11D的平面图分别示出了扩张部分的基本的图形。图12A的平面图示出了本专利技术的半导体装置所具备的TAB带的第3基本图形。图12B是沿图12A中的12B-12B线的剖面图。图13A和图13B的平面图分别示出了印刷工序。图14A和图14B的平面图分别示出了键合部分的基本图形。图15是本专利技术的参考例的半导体装置的平面图。图16是本专利技术的实施例2的半导体装置的平面图。图17是本专利技术的实施例3的半导体装置的平面图。图18是本专利技术的实施例4的半导体装置的平面图。图19是本专利技术的实施例5的半导体装置的平面图。图20是本专利技术的半导体装置的平面图。图21是本专利技术的实施例6的半导体装置的平面图。具体实施例方式以下，参看附图，说明本专利技术的一个实施例。在进行该说明之际，在所有的附图中，对于相同的部分赋予相同的参照标号。(实施例1)图4A是本专利技术的实施例1的半导体装置的平面图，图4B是沿图4A中的4B-4B线的剖面图。如图4A、图4B所示，在聚酰亚胺带(绝缘性基材)1的表面上边，形成由铜(Cu)构成的Cu图形2。Cu图形2，具有金属丝键合部分2WB、球形焊盘部分2BP和布线部分2WR。球形焊盘2BP，矩阵状地配置在在聚酰亚胺带1的大体上中央设置的焊盘区域12上。布线部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：具有焊盘的半导体芯片；已粘接到上述半导体芯片上边的绝缘性基材；分别具有在上述绝缘性基材上边形成的，连接到上述半导体芯片的焊盘上的键合部分、连接到外部电极上的焊盘部分和把上述键合部分与上述焊盘部分 连接起来的布线部分的导电性图形；和至少除去上述键合部分和上述焊盘部分之外，把在上述绝缘性基材上边形成的上述导电性图形被覆起来的被覆层，其中，上述被覆层的边沿与上述键合部分之间的交角大于９０度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：牛岛利弘，马场勋，住吉贵充，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]