一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，包括带多个引脚的引线框架和至少一块半导体芯片，半导体芯片用导电粘胶固定在引线框架上，引线框架和半导体芯片用密封体密封，在引线框架与半导体芯片之间连接有镀镍键合铜丝，镀镍键合铜丝包括铜芯线或铜合金芯线，在铜芯线或铜合金芯线的表面直接镀有镍层。本实用新型专利技术的目的是提供一种键合铜丝不容易被氧化、可在保护气芬下进行键合、提高接口结合强度和稳定的可靠性的半导体封装件。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件本技术涉及一种半导体封装件，特别涉及到半导体芯片与引线框架或半导体 芯片与半导体芯片之间通过一种表面包覆纯镍层的键合铜丝或键合铜合金丝连接的半导 体封装件。半导体封装中的引线键合，就是用非常细小的线把芯片上焊盘和引线框架(或者 基板)连接起来。铜引线键合作为一种可行的、经济的解决方案，已应用在半导体封装中。由于铜引线键合是集成到现有的金引线键合工艺(主要是焊层材料)及封装设备 上，所以，目前铜引线键合所占的引线键合比例依然很少，主要是因为铜引线键合面临着一 些难点(1)键合铜丝容易被氧化；(2)键合接口结合力不够强壮，可靠性不稳定。本专利技术就是在这样的背景下做出的。本技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种键合铜丝不容易被氧化、可 在保护气芬下进行键合、提高接口结合强度和稳定的可靠性的半导体封装件。为了解决上述存在的问题，本技术采用了下列技术方案一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，包括带多个引脚的引线框架1和至 少一块半导体芯片2，半导体芯片2用导电粘胶4固定在引线框架1上，引线框架1和半导 体芯片2用密封体6密封，在引线框架1与半导体芯片2之间连接有镀镍键合铜丝5，镀镍 键合铜丝5包括铜芯线51或铜合金芯线52，在铜芯线51或铜合金芯线52的表面直接镀有 镍层53。如上所述一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于所述半导体芯 片2为两块或两块以上，半导体芯片2之间通过镀镍键合铜丝5连接。如上所述一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于所述镍层53 是通过电镀或化学镀工艺沉积在铜芯线51或铜合金芯线52表面上形成的。如上所述一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于，镀镍键合铜 丝5直径范围为0. OlOmm-O. 075mm，镍层52厚度为0. 1-0. 4um。本技术的有益效果是由于本技术的半导体芯片与引线框架或半导体芯 片与半导体芯片之间通过一种表面包覆纯镍层的键合铜丝连接，这样解决铜被氧化问题， 可在保护气芬下进行键合，提高接口结合力和稳定的可靠性。镀镍键合铜丝能通过不多的 成本增加来获得额外的连接能力提升，提高封装性能和实现高密度封装。[附图说明]以下结合附图对本技术作进一步详细的描述。图1为本技术主剖示意图；图2为镀镍键合铜丝实施方式之一；图3为镀镍键合铜丝实施方式之二。如图1所示，一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，包括带多个引脚的引 线框架1，在引线框架1上通过导电胶4粘接有至少一块半导体芯片2 ；引线框架1和半导 体芯片2用密封体6密封，在引线框架1与半导体芯片2之间连接有镀镍键合铜丝5。本技术中，镀镍键合铜丝5有多种实施方式。第一种，如图2所示，镀镍键合铜丝5由铜芯线51和包覆于铜芯线51表面的镍层 53组成。第二种，如图3所示，镀镍键合铜丝5由铜合金芯线52和包覆于铜合金芯线52表 面的镍层53组成。在半导体芯片2为两块或以上时，半导体芯片2之间也通过镀镍键合铜丝5连接。表面包覆镍层或镍合金层是一种附加的方法，只需将镍层或镍合金层应用到这些 已经认证过的、现有的键合铜丝上。包覆有镍层或镍合金层的铜芯线或铜合金芯线，经拉丝机拉成键合工艺要求的线 径，拉丝后镀镍键合铜丝直径范围为0. OlOmm-O. 075mm，镍层厚度0. 1-0. 4um。表面包覆镍层或镍合金层是通过电镀或化学镀工艺将镍沉积在铜芯线或铜合金 芯线表面。权利要求一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，包括带多个引脚的引线框架(1)和至少一块半导体芯片(2)，半导体芯片(2)用导电粘胶(4)固定在引线框架(1)上，引线框架(1)和半导体芯片(2)用密封体(6)密封，其特征在于在引线框架(1)与半导体芯片(2)之间连接有镀镍键合铜丝(5)，镀镍键合铜丝(5)包括铜芯线(51)或铜合金芯线(52)，在铜芯线(51)或铜合金芯线(52)的表面直接镀有镍层(53)。2.根据权利要求1所述一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于所述 半导体芯片(2)为两块或两块以上，半导体芯片(2)之间通过镀镍键合铜丝(5)连接。3.根据权利要求1或2所述一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于 所述镍层(53)是通过电镀或化学镀工艺沉积在铜芯线(51)或铜合金芯线(52)表面上形 成的。4.根据权利要求3所述一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，其特征在于，镀 镍键合铜丝(5)直径范围为0. OlOmm-O. 075mm，镍层(52)厚度为0. 1-0. 4um。专利摘要本技术公开了一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，包括带多个引脚的引线框架和至少一块半导体芯片，半导体芯片用导电粘胶固定在引线框架上，引线框架和半导体芯片用密封体密封，在引线框架与半导体芯片之间连接有镀镍键合铜丝，镀镍键合铜丝包括铜芯线或铜合金芯线，在铜芯线或铜合金芯线的表面直接镀有镍层。本技术的目的是提供一种键合铜丝不容易被氧化、可在保护气芬下进行键合、提高接口结合强度和稳定的可靠性的半导体封装件。文档编号H01L23/52GK201681829SQ20102015922公开日2010年12月22日 申请日期2010年4月7日 优先权日2010年4月7日专利技术者袁毅 申请人:袁毅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，包括带多个引脚的引线框架（１）和至少一块半导体芯片（２），半导体芯片（２）用导电粘胶（４）固定在引线框架（１）上，引线框架（１）和半导体芯片（２）用密封体（６）密封，其特征在于在引线框架（１）与半导体芯片（２）之间连接有镀镍键合铜丝（５），镀镍键合铜丝（５）包括铜芯线（５１）或铜合金芯线（５２），在铜芯线（５１）或铜合金芯线（５２）的表面直接镀有镍层（５３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁毅，
申请(专利权)人：袁毅，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]