蚀刻期间保持浅沟槽隔离的结构和方法技术

公开了一种保护半导体浅沟槽隔离（ＳＴＩ）氧化物不被蚀刻的方法，该方法包括：如果需要将所述ＳＴＩ氧化物的上表面降低到低于相邻硅有源区以下的水平面，以有效地在所述ＳＴＩ氧化物上限定出凹陷处的方式，在所述ＳＴＩ氧化物和相邻的硅有源区上沉积氮化物衬里，用保护膜填充所述凹陷处，以及从所述相邻的有源区上除去所述氮化物层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件的制造，特别涉及外延预清洁期间保护单沟槽隔离氧化物不被蚀刻的方法以及由此形成的半导体结构。
技术介绍
在用于升高的源-漏应用的选择性外延预清洁期间蚀刻浅沟槽隔离(STI)氧化物在薄绝缘体上硅(SOI)和其它技术中存在问题。外延生长之前清洁Si表面对外延层的生长质量很关键。之所以重要是由于器件性能与外延膜的质量密切相关。通常，清洁工艺涉及除去表面污染物，也涉及通过氢终止(hydrogen termination)钝化Si表面以防止在外延生长之前污染物吸附到表面上。硅化物的预清洁也有严格的要求。为了产生无缺陷的高质量硅化物，需要清洁并且也需要氢钝化Si表面。标准的清洁和氢钝化化学试剂包括氢氟酸(HF)，它除了清洁Si之外还不希望地蚀刻了STI。为了便于外延生长或形成硅化物而充分地清洁Si表面，过量地蚀刻了STI。对于薄Si的SOI应用特别成问题。原因在于STI厚度直接与Si厚度成正比，因此对于薄Si的SOI，STI厚度也薄。在预外延生长清洁和或硅化物预清洁期间，可能蚀刻整个STI。在STI蚀刻掉之后，开始蚀刻埋入氧化物(BOX)层。BOX直接位于有源区之下，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护半导体浅沟槽隔离（ＳＴＩ）氧化物不被蚀刻的方法，包括：如果需要将所述ＳＴＩ氧化物的上表面降低到低于相邻硅有源区以下的水平面；以有效地在所述ＳＴＩ氧化物上限定出凹陷处的方式，在所述ＳＴＩ氧化物和相邻的硅有源区上沉积氮化 物衬里；用保护膜填充所述凹陷处；以及从所述相邻的有源区上除去所述氮化物层。

【技术特征摘要】
US 2001-5-24 09/864,9741.一种保护半导体浅沟槽隔离(STI)氧化物不被蚀刻的方法，包括如果需要将所述STI氧化物的上表面降低到低于相邻硅有源区以下的水平面；以有效地在所述STI氧化物上限定出凹陷处的方式，在所述STI氧化物和相邻的硅有源区上沉积氮化物衬里；用保护膜填充所述凹陷处；以及从所述相邻的有源区上除去所述氮化物层。2.根据权利要求1的方法，其中用化学气相沉积进行氮化物衬里的所述沉积。3.根据权利要求2的方法，其中所述化学气相沉积为选自以下中的一种低压化学气相沉积、快速热化学气相沉积、等离子体增强的化学气相沉积或高密度等离子体化学气相沉积。4.根据权利要求2的方法，其中所述化学气相沉积还包括使硅烷衍生物与氨反应。5.根据权利要求1的方法，其中所述保护膜为有机聚合物。6.根据权利要求5的方法，其中所述有机聚合物为平面化的聚合物。7.根据权利要求6的方法，其中所述平面化的保护聚合物为抗反射的涂料聚合物。8.根据权利要求7的方法，其中所述抗反射的涂料聚合物为选自以下中的一种丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的混合物、聚脲和聚砜聚合物的混合物以及二苯甲酮和双酚A的共聚物。9.根据权利要求6的方法，其中所述平面化的保护聚合物为光致抗蚀剂聚合物。10.根据权利要求9的方法，其中所述光致抗蚀剂聚合物为酚醛清漆树脂。11.根据权利要求1的方法，其中所述保护膜为旋涂氧化物。12.根据权利要求1的方法，其中所述保护膜为保形的并通过化学机械抛光平面化。13.根据权利要求1的方法，其中用保护膜对所述凹陷处的填充包括在所述氮化物层上沉积所述保护膜层；以及使所述保护膜凹陷以使所述保护膜仅留在所述凹陷处。14.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：OH多库马奇，BB多里斯，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]