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公开了一种保护半导体浅沟槽隔离（ＳＴＩ）氧化物不被蚀刻的方法，该方法包括：如果需要将所述ＳＴＩ氧化物的上表面降低到低于相邻硅有源区以下的水平面，以有效地在所述ＳＴＩ氧化物上限定出凹陷处的方式，在所述ＳＴＩ氧化物和相邻的硅有源区上沉积氮化物衬...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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