微米级芯片封装结构制造技术

本发明专利技术涉及为一种微米级芯片封装结构。它是在芯片本体１一表面设有一焊垫２，焊垫２外周边及外周边以外的芯片本体１表面设置保护层３，其特点是焊垫２表面及其外周边的保护层３上依次叠加钛层４、铜层５和铜柱６，铜柱６顶端植置锡球７。本发明专利技术的封装结构能提高植球接合处结合力及创建一个足够的物质空间以防锡球偏离焊垫。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微米级芯片封装结构。属集成电路或分立器件封装

技术介绍
近年来，集成电路或分立器件消费产品需求量大增，其种类也相应增加。圆片厂的金属线减小，芯片封装产品在不影响产品的性能和可靠性的前提下走向小型化等半导体行业技术的进步，是满足此类需求的重要支柱。多年来，芯片裸晶封装已经被广泛应用，这是目前外形最小的，几乎没有包装或防护材料的一种封装形式。此种封装通常是指晶圆级芯片封装。这种封装的面积是和芯片面积一样大的。其封装结构是在芯片本体一表面设有一焊垫，焊垫外周边及外周边以外的芯片本体表面设置保护层，焊垫表面及其外周边的保护层上叠加薄金属层，金属层顶端植置锡球。由于锡球是一种可湿性的金属，将锡球放置在金属层顶端时，金属层会被锡球覆盖因此回流之后会形成Cu3Sn和Cu6Sn5，使植球接合处结合力降低，稳定性下降，锡球容易偏离焊垫，影响芯片的使用性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种能提高植球接合处结合力及创建一个足够的物质空间以防锡球偏离焊垫的微米级芯片封装结构。本专利技术的目的是这样实现的一种微米级芯片封装结构，包括芯片本体，芯片本体一表面设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微米级芯片封装结构，包括芯片本体（１），芯片本体（１）一表面设有一焊垫（２），焊垫（２）外周边及外周边以外的芯片本体（１）表面设置保护层（３），其特征在于焊垫（２）表面及其外周边的保护层（３）上依次叠加钛层（４）、铜层（５）和铜柱（６），铜柱（６）顶端植置锡球（７）。

【技术特征摘要】
1.一种微米级芯片封装结构，包括芯片本体(1)，芯片本体(1)一表面设有一焊垫(2)，焊垫(2)外周边及外周边以外的芯片本体(1)表面设置保护层(3)，其特征在于焊垫(2)表面及其外周边的保护层(3)上依次叠加钛层(4)、铜层(5)和铜柱(6)，铜柱(6)顶端植置锡球(7)。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，赖志明，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]