制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，这种方法包括如下步骤：在半导体基板上形成栅极；在半导体基板表面上形成接合区；在所得的半导体基板构造上形成第一ＢＰＳＧ层；对第一ＢＰＳＧ层进行化学机械抛光过程；在第一ＢＰＳＧ层上形成第二ＢＰＳＧ层；形成定位填充接触体；在所得的半导体基板构造上沉积多晶硅层；对多晶硅层、第二ＢＰＳＧ层与氮化物硬质掩膜进行第二次化学机械抛光过程。使用对于氮化物层具有高抛光选择性的酸性泥浆来进行化学机械抛光过程，因此可除去在晶胞区与周围区的阶段差，因而简化半导体制造方法，并去除去了凹陷现象。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种可防止由于在晶胞区(cell region)与周围区(peripheral region)之间的阶段差所导致的过程失败，并且可防止由于此过程失败所引起的产率损失的。
技术介绍
半导体器件已到达高度集成的阶段，因此难以在上部与下部图案之间形成接触，亦即，难以在接合区(junction area)与位线(bit line)之间以及接合区与电容器之间形成接触。为了解决上述问题，定位填充同质体(landing plug poly)目前被使用在大多数的半导体制造方法中，以便在上部图案与下部图案之间形成稳定的电接触(electric contact)。通过这种定位填充同质体可获得在接合区与位线之间以及接合区与电容器之间稳定的电连结。依照常规的半导体制造方法，在形成栅极后，BPSG层作为绝缘中间层沉积在此栅极上。然后，对此BPSG层进行退火过程，使得此BPSG层融化并流入隙缝中，从而完全填充隙缝。然而，因为这种常规的半导体制造方法可能必然地在晶胞区与周围区引起阶段差(step difference)，所以为了确保以下过程的可靠性，必需通过进行晶胞开启掩膜形成过程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：ｉ）在半导体基板的上表面上形成具有氮化物硬质掩膜的栅极；ｉｉ）在所述半导体基板表面上，在栅极之间形成接合区；ｉｉｉ）在所得的半导体基板构造上形成第一ＢＰＳＧ层，使得栅极 被第一ＢＰＳＧ层所覆盖；ｉｖ）使用具有介于氧化物层与氮化物层之间的高抛光选择性的酸性泥浆对第一ＢＰＳＧ层进行化学机械抛光过程，使得每个栅极的氮化物硬质掩膜被曝露出来；ｖ）在已经通过化学机械抛光过程抛光的第一ＢＰＳＧ层上形成第 二ＢＰＳＧ层；ｖｉ）通过蚀刻第二ＢＰＳＧ层与第一ＢＰＳＧ层形成定位填充接触体，其...

【技术特征摘要】
KR 2003-10-31 76583/031.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤i)在半导体基板的上表面上形成具有氮化物硬质掩膜的栅极；ii)在所述半导体基板表面上，在栅极之间形成接合区；iii)在所得的半导体基板构造上形成第一BPSG层，使得栅极被第一BPSG层所覆盖；iv)使用具有介于氧化物层与氮化物层之间的高抛光选择性的酸性泥浆对第一BPSG层进行化学机械抛光过程，使得每个栅极的氮化物硬质掩膜被曝露出来；v)在已经通过化学机械抛光过程抛光的第一BPSG层上形成第二BPSG层；vi)通过蚀刻第二BPSG层与第一BPSG层形成定位填充接触体，其同时曝露出形成在栅极之间的接合区；vii)在所得的半导体基板构造上沉积多晶硅层，使得定位填充接触体充满多晶硅层；viii)使用酸性泥浆对多晶硅层、第二BPSG层与氮化物硬质掩膜进行第二次化学机械抛光过程，使得定位填充同质体与栅极接触，同时被形成在栅极之间的接合区分开。2.如权利要求1所述的方法，其中步骤iii)包括下列子步骤沉积包括10～25体积百分比的硼与5～12体积百分比的磷，厚度为3000至6000的BPSG层，以及在温度为约700...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相益，辛钟汉，朴滢淳，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]