有机场效晶体管及其制备方法技术

有机场效晶体管及其制备方法包括位于一对电极之间的、作为通道材料的、双官能分子的自组装单分子层（ＳＡＭ）。所述电极对和双官能分子的ＳＡＭ形成在绝缘层上，其中各双官能分子在第一端含有共价连接到绝缘层上的官能团并且在第二端含有包括共轭键的封端官能团。所述双官能分子的ＳＡＭ可以是聚合的ＳＡＭ，以形成在电极对之间延伸的共轭聚合物线。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
一般性地，本专利技术涉及含有共轭π键的自组装单分子层(SAM)的聚合。特别地，本专利技术涉及将双官能分子布置在基材上以形成SAM，其中所述双官能分子包括封端官能团，该封端官能团聚合形成通过共轭π轨道互相连接形成电荷转移通路的SAM。更具体地说，本专利技术涉及有机场效晶体管的制备，其中通道材料包含SAM，其通过共轭的聚合物线(polymer strand)形成穿过有机场效晶体管的通道的分子内电荷转移通路。相关技术的描述常规的有机场效晶体管(O-FET)是基于有机半导体的薄膜，该薄膜通过真空升华或者从溶液或熔融液中沉积而沉积于在两个电极，即源电极和漏电极之间的基材上。这些常规的O-FET需要大量的分子以桥接源电极和漏电极之间的空隙。在这些常规的O-FET中，最邻近分子的π-电子轨道之间的大量分子间重叠有利于通过大量分子的电荷传导。然而，甚至在其中有机分子高度对齐并且这种重叠最大化的最佳情况下，分子的振动所产生的声子散射阻碍分子之间的分子间电荷转移，所述的分子振动甚至在室温下也是非常显著的。除非将一种O-FET的有机分子冷却至其中分子振动明显减小或者实际上消除的非常低的温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效晶体管，其包含：一对电极；和作为通道材料的位于所述电极对之间的双官能分子的自组装单分子层（ＳＡＭ）。

【技术特征摘要】
US 2003-6-9 10/456,7491.一种场效晶体管，其包含一对电极；和作为通道材料的位于所述电极对之间的双官能分子的自组装单分子层(SAM)。2.权利要求1所述的场效晶体管，其还包含在其上布置有电极对和双官能分子的SAM的绝缘层，其中各双官能分子在第一端含有共价连接到绝缘层上的官能团，并且在第二端含有包括共轭键的封端官能团。3.权利要求1所述的场效晶体管，其中双官能分子的SAM包含聚合的SAM，所述聚合的SAM包括在电极对之间延伸的共轭的聚合物线。4.权利要求1所述的场效晶体管，其还包括通过绝缘层电连接到双官能分子的SAM上的门电极。5.权利要求3所述的场效晶体管，其中聚合的SAM包含包括聚合形成共轭聚合物线的、3-取代的单-、并或三并噻吩封端官能团的双官能分子。6.权利要求3所述的场效晶体管，其中聚合的SAM包含包括聚合形成共轭聚合物线的乙炔基封端官能团，或者作为烷基、芳基或杂芳基部分的取代基的乙炔基封端官能团，或烯-炔封端官能团的双官能分子。7.权利要求1所述的场效晶体管，其还包含绝缘层，其中所述SAM包含包括共价连接到绝缘层上的三氯硅烷、二烷基氯硅烷、烯丙基二烷基硅烷、三烷氧基硅烷、羧酸、膦酸、异羟肟酸、胺或羟基官能团的双官能分子。8.权利要求2所述的场效晶体管，其还包含在其上形成绝缘层的基材，所述的基材包含玻璃、聚碳酸酯、聚酯、聚酰亚胺、石英、未掺杂的硅和掺杂的硅中的至少一种。9.权利要求4所述的场效晶体管，其中所述门电极包含铬、钛、铜、铝、钼、钨、镍、金、铂、钯、多晶硅、掺杂的聚苯胺、掺杂的聚噻吩和掺杂的聚吡咯以及掺杂的聚苯胺、掺杂的聚噻吩和掺杂的聚吡咯的取代类似物中的至少一种。10.权利要求2所述的场效晶体管，其中绝缘层包含钛酸锶钡、钛锆酸钡、钛锆酸铅、钛酸镧铅、钛...

【专利技术属性】
技术研发人员：A阿夫扎里阿达卡尼，CD迪米特拉科普罗斯，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]