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本发明涉及一种制造半导体器件的方法，这种方法包括如下步骤：在半导体基板上形成栅极；在半导体基板表面上形成接合区；在所得的半导体基板构造上形成第一ＢＰＳＧ层；对第一ＢＰＳＧ层进行化学机械抛光过程；在第一ＢＰＳＧ层上形成第二ＢＰＳＧ层；形成定位...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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